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185 个结果
  • 简介:利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(totalionizingdose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallowtrenchisolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

  • 标签: TCAD仿真 深亚微米MOS器件 总剂量辐射效应 辐射陷阱电荷
  • 简介:目的:能量桩在工作状态下的热力学响应十分复杂,同时受到桩顶荷载、桩侧摩擦以及温度等多重因素的影响。当群桩中出现部分能量桩不工作时,将造成上部结构的额外应力与变形。因此,本文重点探讨摩擦型能量桩群桩中部分能量桩在加热制冷作用下的热力学响应,并与单桩的热力学效应进行对比分析。创新点:1.通过建立摩擦型能量桩群桩模型试验,探讨桩侧摩擦对能量桩群桩的影响规律:2.利用能量桩群桩与单桩对比,揭示能量桩群桩与单桩热力响应特性的区别;3.揭示部分能量桩加热制冷作用对能量桩群桩的影响机理。方法:1.建立摩擦型能量桩群桩及单桩的模型试验;2.将能量桩群桩与单桩进行对比,研究能量桩群桩与单桩热力响应特性的区别;3.进行能量桩群桩部分加热制冷试验。结论:1.对于长期工作的能量群桩,可以将其视为一个长宽高与整个群桩相同的热交换体,其表面温度与群桩的平均表面温度一致。2.能量桩单桩在加热过程中,由于桩底受到的限制较大,所以桩顶位移大于桩底位移。3.能量桩单桩在制冷过程中,由于土体及桩体收缩,会出现明显的下沉。4.能量桩群桩桩帽在加热过程中,桩帽的位移与群桩的上半部分长度相关:在本文的试验中,由于群桩上半部分受土的限制较小,因此其位移与桩自由膨胀的位移一样。5.能量桩群桩在制冷期间,群桩的下沉量级要比单桩的大。6.在制冷过程中,能量桩群桩在群桩效应作用下,内部桩的桩底热位移较大。7.能量桩群桩在部分加热的情况下,会出现不均匀沉降,且在加热期间,沉降主要受到不工作桩的牵制影响;而在制冷期间,沉降主要受工作桩的下沉影响。8.摩擦型能量桩的热引起的桩身轴力是与桩侧的土压力大小相关的;由于群桩在群

  • 标签: 能量桩 纯摩擦型桩 群桩 不均匀加热 不均匀沉降
  • 简介:振动钻削在定心精度、孔表面质量、钻头寿命和出口毛刺等方面,均优于普通钻削。针对其优良的工艺效果,特别是钻入时的高定心精度和小横向偏移等现象,目前尚不能作出最有说服力的解释。为了更加深入地研究振动钻入机理,在继承国内外相关技术成果的:基础上,利用有限元方法对振动钻入的瞬时过程进行了更加深入地研究,以便为将来进一步研究振动钻削加工过程控制技术提供技术支撑。

  • 标签: 振动钻削 动力学特性 微细钻头 有限元法 过程控制技术 定心精度
  • 简介:将集成温度传感器(Integrationtemperaturesensor)简称(ITS)应用于声速测量系统。研究了液体中声的传播述度与温度变化的关系,并对水进行了实际测量。实验证明了这一测试系统的实用性和可靠性,为液体声速的进一步研究,提供了理想的实验依据和测量方法。

  • 标签: 液体 声速 集成温度传感器 温度特性 恒温控制
  • 简介:硅泡沫垫层材料同其他高分子材料一样同样存在老化的问题,在使用和贮存过程中会受到温度、湿度、氧化、应力等因素的影响而发生老化,性能劣化。因此,研究其相对薄弱环节的贮存老化性能是很重要的。

  • 标签: 老化性能 垫层材料 泡沫 贮存过程 高分子材料
  • 简介:O471.598010628多孔硅反射谱的测量与分析=MeasurementandanalysisoftheopticalreflectancespectraofPS[刊,中]/晃战云,徐伟弘,唐洁影,汪开源(东南大学.江苏,南京(210096))//固体电子学研究与进展.—1997,17(1).—50—54测量多孔硅的光反射谱,并进行了分析和讨论,得出了其能带展宽等特性。利用K—K关系,计算得出了多孔硅的折射率n等光学常数,并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析。图6参3(李瑞琴)

  • 标签: 多孔硅 半导体材料 研究与进展 光学常数 量子点 固体电子学
  • 简介:为了适应Z-pinch物理实验对新材料的要求,2003年来对导电复合材料进行了初步研制。由于导电聚合物结构的特殊性,导致了导电聚合物机械加工性能很差,聚吡咯是一种具有较好的热、化学氧化和光照稳定性导电聚合物,因此利用有机材料作为基体,吸附吡咯同时进行氧化聚合,可得到性能较好导电复合材料。在导电聚合物的研制过程中,主要涉及基体材料的选择、氧化剂的选择以及反应时间对复合材料的表面电阻的影响。

  • 标签: 导电复合材料 Z-pinch实验 聚吡咯 氧化剂 表面电阻
  • 简介:O47296032017ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究=Astudyonstructureandgas-sensitivecharacterofZnO/SnO2bilayerfilm[刊,中]/娄向东(河南师范大学化学系.河南,新乡(453002)),沈荷生,沈瑜生(中国科技大学材料科学与工程系.安徽,合肥(230026))//传感技术学报.-1995,(2).-20-23将SnO2及ZnO粉末压制成靶材,采用溅射法制备了ZnO/SnO2双层薄膜,用XPS,XRD、SEM等手段对制得的薄膜进行分析测试,发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在,双层膜中锌、锡有一定的相互扩散,比较了单层SnO2及ZnO膜与双层膜的气敏特性,结

  • 标签: 一维半导体 双层膜 气敏特性 粉末压制 学报 传感技术
  • 简介:详细地介绍了怎样快速耦合半导体激光器所发射激光与普通光纤输入端端面的方法,使耦合效率尽可能达到最大,并使用简单的方法测量了光纤的剩余长度或者测量光速,最后给出据测量半导体激光器电光特性曲线可准确方便地获得阈值电流的方法。

  • 标签: 半导体激光器 光纤 耦合 电光特性
  • 简介:研究目的:研究双盘双跨转子/轴承/汽封系统在非线性油膜力和非线性汽封力共同作用下的动力学特性,分析了转子转速、密封力、油膜力和联轴器刚度等因素对转子稳定性的影响。创新要点:采用Hamilton原理和有限元方法建立双盘双跨转子/轴承/汽封系统模型,使得双跨多节点的转子系统数值求解更加容易。研究分析转子转速、非线性密封力、非线性油膜力和联轴器刚度等因素对转子稳定性的影响,为大型转子系统的设计提供理论基础。研究方法:采用Hamilton原理和有限元方法建立双盘双跨转子/轴承/汽封系统模型(图1和2)。应用四阶Runge-Kutta法进行数值求解,并采用轴承处、圆盘处的分岔图、时程图、庞加莱映射图、频率图和相轨迹图等来分析转子系统的动态特性。重要结论:1.通过数值计算分析,转子的转速、非线性汽封力、非线性油膜力和联轴器的刚度对双跨转子的稳定性有重要的影响作用。2.随着转速的上升,双跨转子系统从最初的稳定运动,到三倍周期运动,到准周期运动和多倍周期运动交替出现,运动特性相比单跨转子系统要更为复杂。

  • 标签: HAMILTON原理 双盘双跨转子系统 非线性汽封力 动态特性
  • 简介:采用硝酸铟、硝酸铜和高分子材料作为静电纺丝的前驱体溶液,经过静电纺丝及高温煅烧,获得一维氧化铟/氧化铜复合纳米纤维,制成气体传感器,并对其气敏性进行测试及分析。

  • 标签: 静电纺丝 纳米纤维 气敏特性
  • 简介:建立了等效基带模型的频域方法,分析了大口径反射面天线微波短脉冲辐射特性,理论推导了辐射场基带波形的重构方法。以Ku波段4.5m口径的单反射面天线为例进行仿真验证,重构出天线主瓣、3dB波束方向、第1,2,3旁瓣的辐射场基带波形。仿真结果表明:在主瓣和3dB波束方向辐射场波形与辐射源基带波形完全一致,但是第1,2,3旁瓣辐射场波形出现轻微畸变。

  • 标签: 大口径天线 微波短脉冲 信号重构
  • 简介:随着机械装置向结构复杂化发展,常需要对复杂装置的层间挤压应力等接触应力进行研究,这需要利用薄型挤压应力传感器来进行接触测量。进行层间接触测量的传感器不但应具备良好的应力敏感特性,而且应具有优良的柔韧力学性能,选用高导电纳米炭黑、球形石墨为导电粒子,硅橡胶、天然橡胶为基材开展了颗粒填充型导电高分子复合材料的配方工艺优化研究、薄膜制备及均匀性控制方法研究及感压复合材料薄膜的压力一电阻关系研究。

  • 标签: 导电高分子复合材料 力学性能 应力传感器 压阻 复合材料薄膜 机械装置
  • 简介:含能材料的起爆、传爆、能量释放、安全等诸多性能在很大程度上取决于组分的颗粒尺寸及分布、比表面积、孔隙结构和组分均匀性等结构参数,微纳米含能材料由于可改变上述一个或几个参数而表现出与普通颗粒含能材料不同的性能。众多研究都表明:随着含能材料颗粒尺寸的减小,其性能将发生显著变化,如机械感度降低、高压短脉冲感度增加、爆轰更接近于理想爆轰、爆炸时释放能量更完全、燃烧效率提高、爆轰波传播更快更稳定、爆轰临界直径降低、装药强度提高等。

  • 标签: 含能材料 微纳米 爆轰波传播 组分均匀性 颗粒尺寸 机械感度
  • 简介:在脉冲间对感应加速腔磁芯复位,可以提高加速腔磁芯的利用率。在小于1μs间隔的脉冲间对磁芯复位,由于动作时间极短、电压高(〉200kV),靠开关隔离励磁和复位脉冲现阶段是不能实现的。

  • 标签: 磁芯材料 复位 脉冲 感应加速腔 叠加 动作时间
  • 简介:通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律.研究发现,当阴阳极间距大于0时,无箔二极管的结构影响因子随着阳极腔区半径的增大而减小并逐渐趋于稳定,且对于较小的阴极外半径、较大的漂移管半径、较大的阴阳极间距,达到稳定后的结构影响因子越小,并给出了结构影响因子的可调节范围.在TPG700脉冲驱动源上开展了初步实验研究,对实验中的回流电子束进行数值模拟分析并去除其影响以后,实验结果很好地符合了理论分析结论.

  • 标签: 无箔二极管 强流电子束 I-V特性 结构影响因子