简介：<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通／截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×10^5以上，载流子迁移率超过2cm2／Vs。

简介：根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定度进行了评定,给出了自变量和因变量同时存在不确定度时的线性拟合方法。分析表明,两种方法的计算结果一致,但复杂程度不同,实际应用时采用先求平均值再线性拟合的方法更好。同时,还分析了不确定度评定过程中相关性产生的原因,给出了通过解析表达式判断相关性的方法。分析表明,应用协方差传播律,由相关性引入的估计协方差可以用独立参数的不确定度来表达。最后,给出了两种方法在实验数据处理中的应用。

简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用III-V族化合物砷化镓铟代替硅，研制出全球首款全门三维晶体管，可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。

简介：串联型晶体管直流稳压电源在稳压部分的过载保护分限流型和截流型两种保护电路,这两种过载保护电路都有各自的缺点,并且都是加在稳压部分。在实验课教学中采取了另外一种过载保护电路,即在桥式整流与滤波器之间加一个220欧姆的分流电阻,对电路进行过载保护,采用这种分流式过载保护电路原理简单,使用方便。几年来,使用效果甚佳。

简介：摘要：从上个世纪80年代起，薄膜晶体管(TFT) 的制备工艺、特性表征和模型建构等研究基本都是基于单栅器件进行的，所以单栅的TFT器件的工艺制备、器件结构解析模型等都研究的相对比较成熟。然而，近几年，一种具有发展潜力的双栅结构TFT引起了世界普遍的关注。双栅结构的TFT具有更强的电流驱动能力，更低的漏电流和较好的亚阈值特性，可以抑制短沟道效应等优点，逐渐成为颇具有发展前景的新型器件结构。本论文在氧化锌 (ZnO) 的性质和薄膜的制备方面做一些讨论，并对常规TFT的结构进行分析，探讨了双栅结构的ZnO薄膜晶体管的工作模式。 关键词：氧化锌，双栅结构，工作模式

简介：

简介：摘要：PNP功率晶体管放大倍数是一个十分重要的参数，无论是版图设计或是工艺设计，直至工艺制作的全过程，都是工程师的主要关注点。本专题研究影响PNP大功率晶体管的放大倍数的主要因素，并针对性的给出工艺措施来提高PNP晶体管放大倍数的一致性。

简介：在电子技术教学中,分析晶体管元件工作特性时,主要通过研究晶体管元件的内部结构原理,推理得出该元件的外部工作特性,该教学方法存在'理论较强、抽象难懂'的弊端,很难调动学生的学习积极性。为此,提出通过直观的实验法,引导学生主动探究晶体管元件的工作特性,可有效激发学生的学习兴趣,增强教学效果。

简介：

简介：摘要:在现有矩形栅极U形沟道场效应晶体管与深肖特基势垒场效应晶体管的基础上，提出一种高集成双矩形栅极U形沟道双向隧穿场晶体管。新设计利用更高的肖特基势垒来最小化热电子发射电流，并采用矩形主栅极产生强大的带带隧穿电流作为正向电流的传导机制；引入一个矩形辅助栅极，以有效阻止反向偏置漏电流。新设计可在不使用掺杂工艺的情况下，获得更低的亚阈值摆幅、更小的反向漏电流、更高的Ion/Ioff比和更高的集成度，在更小的芯片面积上实现更优越的性能。

简介：为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善.

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

简介：摘要：随着社会经济的迅速发展,人们对于物质生活水平要求越来越高,而人工晶体作为一种新型材料,其自身具有体积小、品种多、度数多且价格昂贵等特点。因此为保证患者在术后恢复满意视力应加强人工晶体的规范化管理。本文主要介绍了人工晶体的管理现状、问题分析及未来研究方向。

简介：电力电子器件是半导体功率器件的总称，是构成电力电子设备的基础，是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座．以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿，并望提出宝贵意见。

简介：<正>飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W,是继广受欢迎的MW6S004N产品(MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器,广泛应用于世

简介：日本千叶大学工程系中村雅一副教授和工藤一浩教授与日本化学技术战略推进机构共同组成的联合研究小组日前在2mm×2mm的区域中集成约2800万个有机晶体管元件，开发出驱动性能更高的芯片，并在3月22日～26日于东京武藏工业大学举办的日本“第53届应用物理学相关联合演讲会”上进行了发表。