简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。
简介:摘要:从上个世纪80年代起,薄膜晶体管(TFT) 的制备工艺、特性表征和模型建构等研究基本都是基于单栅器件进行的,所以单栅的TFT器件的工艺制备、器件结构解析模型等都研究的相对比较成熟。然而,近几年,一种具有发展潜力的双栅结构TFT引起了世界普遍的关注。双栅结构的TFT具有更强的电流驱动能力,更低的漏电流和较好的亚阈值特性,可以抑制短沟道效应等优点,逐渐成为颇具有发展前景的新型器件结构。本论文在氧化锌 (ZnO) 的性质和薄膜的制备方面做一些讨论,并对常规TFT的结构进行分析,探讨了双栅结构的ZnO薄膜晶体管的工作模式。 关键词:氧化锌,双栅结构,工作模式
简介:为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善.