简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

简介：讨论具有确定能量的一维微观粒子对双方势垒的遂穿问题,计算其透射系数,发现双方势垒的透射系数并不等同于两个单方势垒紧挨在一起时的透射系数,但在一定条件下两者相等;同时也导出了微观粒子遂穿双方势垒时发生共振遂穿的条件,并对计算结果进行了讨论。

简介：在金属薄膜电阻率测量中,电压的准确测量非常重要。系统的研究了影响电压测量结果的各种误差因素,并分析了界面势垒、温差电势对测量结果的具体影响方式,推翻了认为界面势垒、温差电势非常小对测量结果没什么影响的观点。通过磁控溅射法制作了多个Au膜和Cu膜,利用四探针法对其进行了电学测量。实验结果很好地验证了理论分析。

简介：摘要本研究提出了一种高击穿电压AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（DCBL-HEMT），它具有通过在栅极和漏极之间的钝化层中加入两个负电荷区形成的双电荷区势垒层结构。负电荷的引入可以氟等离子体处理实现。相较于普通钝化层结构和场板结构的晶体管，具有双电荷区阻挡层结构的晶体管沟道中的电子被势垒层中的负电荷耗尽。栅边缘的电场集中得到改善，沟道层出现两个新的的峰值电场，使电场分布更加均匀。双电荷区势垒层结构可以调节沟道层中的电场分布，有效地提高器件的击穿电压。通过sentaurus仿真软件对器件的结构和双电荷区进行优化，最终得到了284V的击穿电压。

简介：在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态转移。同时还经由热电子隧穿而跃迁到表面态。在低电子密度下，沟道阱产生畸变而蜕化为三维态。运用这一电子态转换模型解释了输运噪声特性随电子气密度的变化。最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：大年三十，按照山西的传统习俗应该要垒旺火。往年都是爸爸和叔叔两人一起垒旺火，今年我也想搭把手，沾沾旺火的喜气。

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简介：摘要我国是煤炭大国，煤炭行业是我国经济的重要组成部分，煤炭的开采又是煤炭行业发展的重中之重。煤矿机电的安装质量直接关系着煤炭开采和生产的进度。在煤矿机电的安装过程中，会遇到各种各样的困难和问题。本文就煤矿机电安装过程中所出现的问题，以及所受到的影响，结合实际煤炭开采工作提出合理化建议，使得煤炭开采生产能够安全有序的进行，为我国经济事业的发展提供坚强有力的支持。

简介：摘要：DDJ肖特基芯片属于高新成果转化项目，主要目的是为了通过核心技术突破，实现产品的性能提升，以此进行科学研究和技术开发。对于技术成果而言，后续还需对其进行试验、开发、应用，后期结合推广工作进行新产品和新工艺产业的发展。肖特基二极管具有正向压降低和高速开关的优点，所以会被广泛应用在高频开关场合中。当前肖特基二极管不仅被应用在各大数码产品中，还被应用在军用设备当中。为了满足高效率的电源需求，肖特基二极管起到了决定性作用。

简介：摘要：肖特基芯片的研发需要应用较多的关键技术，需要提高芯片的设计水平，使其能够表现出良好的性能。基于此，本文对TD肖特基芯片的特点，先从正向压降、工作频率、反向耐压、双面结构及小型化封装等性能、结构方面进行分析；再进行TD肖特基芯片的关键技术介绍；最后，从市场前景、产品竞争力、技术心得等方面对TD肖特基芯片案例进行分析，确定TD肖特基芯片开发的重要意义。

简介：<正>这是一套座落在金桥,为人量身定造的某高档住宅小区。它为那些不愿循规蹈矩尊从传统,张扬个性却又不雍容过度的新贵所喜爱。风格上定位为新古典主义。打破古典框架室内设计师对底层空间进行了适度重组,原来位于客厅内醒目的楼梯被“请”到了餐厅的位置,使客厅空间豁然开朗。而餐厅和旁边的小房间打通,形成一个整体。

简介：有的人死了,他还活着。陶博吾先生离开我们数十年了,在他诞辰110周年的日子里,熟悉或不熟悉他的人还会自动地聚集在一起,纪念他,缅怀他。特别像我这样,没有陶老一个字,没有陶老一寸画,与陶老及其家人素不相识,却愿意为陶老的事流汗出力,愿意做他的'粉丝',愿意拿出难得的休息时间为他写文章,肯定是有充分理由的。一个人不愿做一件事,有一千条理由。一个人愿做一件事,只有一条理由。因此我的理由很简单:陶博吾先生在人生逆境中,基本完成了自身价值的实现,符合我对一个大写的人的预设想象和心理准备。

简介：南京有世界第一的阳山碑材,还有世界第一的中华门古城堡。罗马、巴黎也有古城堡,但和南京的古城堡相比,那是小巫见大巫了。明代的金陵古城有13座城门,其中规模最大、最雄伟壮观就是中华门。中华门古城堡位于南京城南、内外秦淮河之间,南有雨花台作天然屏障,城门前后有长干桥、镇淮桥相贯通,历来是军事要隘。明初曾作为都城的正南门,称聚宝门,因城南有聚宝山(雨花台)而得名。1931年修建中华路时改称中华门。中华门古城堡的外壁全用条石砌成,高20.45

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简介：张于垒,字凯甫,张燮之子,龙溪（今福建漳州）人。晚明诗人,名列《列朝诗集小传》,年最少,钱谦益称其“张童子”,七岁通古文,能诗。十五岁,随父入泉州、莆田、福州,与老成诗人分韵赋诗,立成,四座阁笔。随父燮游越、吴、金陵、皖、贑,又遍游武夷。十八岁卒,里人为建幼清祠。著有《麟角集》,又纂《山志》,未竟。或由于文献散佚之故,明清之际以来,载述于垒生卒年、年龄、事迹多讹误,不能不辨。于垒父张燮的事迹,本谱较略,别见《张燮年谱》（未刊稿）。

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简介：通臂二十四势,由二十四个单打姿势组成,每一势又有很多不同打法。一、撑撑也叫撑捶,是二十四势的第一势。撑的意思有三:1.支撑,2.张开,3.涨开。撑的动作是:以肩和肘关节为轴,由屈而伸,沿直线向前推进,趋向目标。当与目标撞击、接触后,如果目标未被击离拳面,撑力并不停止。这就是古人所说的“撑拳打出着点后还可以打击五尺远”。撑力是垂直于目标的力,“立顶千斤”,所以其攻击力最强。其力点在拳面,其根在后脚跟上。撑发拳向前推进的同时,手臂向里旋拧,拳由阳拳变为阴拳,走的是螺旋路