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  • 简介:传统的集中式最大功率跟踪虽然可以使太阳能阵列的电量保持最大值,但是在实际应用中系统会有失配的问题,可能导致系统有多个最大功率点,存在次优的最大功率点,传统的最大功率跟踪方式解决不了这个问题。文中的分布式最大功率跟踪方法可以使这种失配对系统造成的影响降到最小,文章分析了这种方法的优点和运行原理,然后通过计算机仿真模拟验证方法的可行性。

  • 标签: 光伏发电 分布式 最大功率跟踪 阴影失配
  • 简介:本文将空间矢量调制型直接转矩控制(SVM—DTC)策略引入到同步电动机控制系统中,利用优化的空间矢量组合实现了转矩、磁链误差的精确补偿,同时保证了功率器件开关频率恒定。研究了基于改进电压模型的电励磁同步电动机定子磁链计算方法以及转子励磁控制方式。最后使用Matlab/SimuIink环境对所使用的方法进行了仿真验证。

  • 标签: 电励磁同步电动机 直接转矩控制 空间矢量调制 改进电压模型 励磁控制
  • 简介:在多年的研究基础上,由复旦大学牵头研制的光伏并网逆变装置,通过产学研转化,在“MW级高精度实时控制与电路优化”与“智能电网接入与新能源协调控制技术”等方面取得突破性技术成果,解决了高性能光伏并网发电的核心技术问题。

  • 标签: 光伏并网发电 技术成果 复旦大学 逆变装置 控制技术 智能电网
  • 简介:本文研究了过压抑制电路的原理与特性,分析比对了几种过压抑制电路的工作特性。研究了HXD_2电力机车辅助变流系统的工作特性,利用Crowbar功率模块的技术特点实现在斩波系统中的过压抑制。本文重点描述了HXD_2机车Crowbar电路的电气结构、工作原理及设计准则,研制了样机并进行了分析试验。研究表明,过压抑制模块保护响应快,阀值设定可靠合理,对保护辅助供电系统过压有很好的作用。

  • 标签: 电力机车 CROWBAR 辅助供电系统
  • 简介:本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%,将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景。

  • 标签: 沟槽棚e-JFET 沟槽棚MOSFET 功耗
  • 简介:2015年3月3日,为创建传统领域国际一流品牌,为跨界合作战略做好技术支撑,中信重工北京设计研究院暨智能控制系统联合实验室揭牌仪式在北京隆重举行。中科院自动化研究所所长王东琳先生,中科院自动化研究所副所长、党委副书记战超先生,中信集团总经理助理、中信重工董事长、党委书记任沁新先生,中信重工总经理、党委副书记俞章法先生出席仪式。

  • 标签: 智能控制系统 联合实验室 设计研究院 北京 中科院自动化研究所 党委书记
  • 简介:根据目前移动通信体制的特点和手机的工作模式,给出了一种用于地震灾害中搜索被掩埋人员的救援系统的设计方法。该系统利用伪基站仿冒网络端要求被掩埋人员随身携带的手机发送IMSI,然后通过统计IMSI来获得被困人员的数量。结合天线方向图下倾技术和AOA定位方法,对信号源进行定位从而间接获取被压埋人员的位置信息。

  • 标签: 搜救 定位 AOA 位置更新 IMSI
  • 简介:建设智能电网可以带来巨大的社会经济效益,助推产业结构升级,推进:审能减排和低碳经济目标的实现,促进社会和谐。本文从分析国外对智能电网带来的效益入手,结合我国的发展国情和对未来电力发展的规划,利用建立的智能电网渗透率模型,对电网产业链环节的经济效益、节能减排效益和社会效益进行评估。基于对智能电网发展效益评估的研究成果和结沦,为实现智能电网发展的目标提供可行路径和政策建议。

  • 标签: 智能电网 效益评估 技术讲座 社会经济效益 产业结构升级 机制
  • 简介:本文提出了一种电网不平衡条件下三相电压型PWM整流器的控制方法。首先,建立了三相电压型PWM整流器的数学模型,基于网侧单位功率因数及负载电压恒定的控制目标,建立了网侧电流给定方程组。其次,基于“三相不平衡abc静止坐标系”与“不平衡坐标变换”建立的dq解耦模型,采用输入-输出线性化的电流控制策略,实现了有功电流与无功电流的独立控制。仿真实验结果表明:文中所提出的控制策略是有效的。

  • 标签: 电网不平衡 PWM整流器 三相不平衡静止坐标系 输入-输出线性化 电流控制
  • 简介:在没有硝烟的“存量市场”上,每一点份额都是企业的已定版图之内,如何在这里精耕细作,以服务提升附加值,在“工业4.0”“互联网+”“智能化”“大数据”这些新趋势下为客户带来新的增益?已然成为每个企业市场争夺战的必争之地。

  • 标签: 专家 行业 专题 设备 精耕细作 附加值
  • 简介:本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。

  • 标签: 功率MOSFET 载流子迁移率 温度系数 温度梯度 TC 线性区