简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。
简介：近日，美国《财富》杂志载文指出，在20世纪科技史上有两件事影响深远：一是微电子芯片，它是计算机和众多家电的心脏，它改变了我们的经济和文化生活，并已进入每一个家庭；另一件事就是生物芯片，它将改变生命科学的研究方式，革新医学诊断和治疗，极大地提高人口素质和健康水平。有人认为，从某种意义上说，如果20世纪属于微电子芯片的话，21世纪则是生物芯片的时代。
简介：日前，西门子公司向市场投放了两款最新的多功能软起动器产品，它们是Sirius3RW40和Sirius3RW44。
F-离子注入实现的AlGaN／GaN增强型HEMT器件特性的模型分析
专家预测生物芯片将成为本世纪最大产业
西门子推出新一代具备极性平衡特性的Sirius软起动器
