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F-离子注入实现的AlGaN／GaN增强型HEMT器件特性的模型分析

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摘要文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

DOI 34g8kz83j9/1008655

作者张旻;张继华;杨传仁

机构地区不详

出处《电子元器件应用》 2011年9期

关键词 F-注入增强型HEMT 数值模拟

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2011年09月19日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）