简介：

简介：纳米技术发展至今，遇到的一个重大难题就是直接观察单个分子和原子团簇的几何结构和电子结构，并对其进行理论阐述。日前由国家自然科学基金委委连续资助的研究项目“单分子结构与电子态的理论和实验研究”已经突破该难题，能够对单个分子和原子团簇的结构进行理论上的建模分析与表述。

简介：凝聚着两代人希望的国家十五重点攻关项目和北京市重大科技攻关项目“非晶、纳米晶制品研究及产业化”3月24日通过验收，标志着我国非晶、纳米晶材料在系统集成上实现了自主创新，在材料体系、工艺装备、产业化能力各方面都实现了跨越式发展，跃居世界前三强，可与日本、德国两强平起平坐。

简介：美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

简介：<正>稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调

简介：碳纳米材料家庭中的两名重要成员——碳纳米管和石墨烯,一直以来仅在实验室出现身影,近日却联手合作,加速相关研究进展,如混合能源储存应用,超电容器等。近日,密歇根科技大学的研究者将这两种纳米材料结合,应对一个难度更大的应用领域:电子器件。具体的一个例子就是,研究者们通过叠加碳纳米管和石墨烯成功制成电子开关。

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简介：<正>德国决定启动新一轮纳米生物技术研究计划,以对介于纳米和生物技术之间的物理、生物、化学、材料和工程科学进行研究。第一批21个项目的参与资金为4000万马克,将在今后的6年内陆续投入1亿马克。纳米生物技术被视为21世纪高技术的关键之一,其应用涉及经济、医疗和其他相关领域,如纳米电子、纳米材料、与生物和其因工程有关的分子纳米技术等。德国研究教育部

简介：IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布：他们将在高k金属栅（HKMG）技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统（SoC）设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM同时宣布：将利用公共平台HKMG32纳米／28纳米技术独特的特性，开发定制化的物理IP，以实现当前和未来的ARMCortex系列处理器在功耗、

简介：<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产

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简介：TI公司日前宣布推出一款全新模数（A／D）视频解码器。该款高性能、低成本解决方案在同一芯片上集成了4个独立的视频解码器，因而非常适合视频监控等多输入视频应用。高度集成的全新TVP5154四通道A／D视频解码器能够显著简化布局，与前代产品相比可节省高达25％的板级空间。此外，TVP5154的每个通道均采用可编程的水平／垂直（H/V）换算器，这种设计可减轻相关视频处理器处理负载的负担，使开发人员拥有更大的空间来实施增值算法。

简介：Dialog、恩智浦、安森美半导体、TI等公司正在开发GaN基功率半导体器件。面对这些传统功率器件巨头的竞争，NAVITAS如何突出重围呢？

简介：<正>中国科学院沈阳自动化研究所研究员刘伟军领导的先进制造技术重点实验室快速成型课题组,在中国科学院金属研究所等单位的协助下,最近研制开发出具有自主知识产权的"纳米晶陶瓷材料/零件的快速成型工艺与设备",并通过了国家"863"计划先进制造与自动化领域机器人技术主题专家组的考核验收。

简介：<正>在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示,五十多年来,计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸,而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术,但随着摩尔定律逐渐接近极限,传统方法很快就会走

简介：<正>据香港中通社报道,台湾"国研院"纳米(台称"奈米")组件实验室日前开发出全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞;这个新内存在几乎不需耗电的情况下,1平方厘米面积内可储存1个图书馆的文字数据,将让信息

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简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：电力电子器件是半导体功率器件的总称，是构成电力电子设备的基础，是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座．以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿，并望提出宝贵意见。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。