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  • 简介:以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ag掺杂ZnO纳米线为气敏基料,制备成旁热式气敏元件,用静态配气法对浓度均为100ppm的无水乙醇蒸汽、氨气、甲烷及一氧化碳四种气体进行气敏性能测试,结果表明,Ag掺杂后,ZnO纳米线对四种气体灵敏度的最高值分别提高了230%,92%,158%,49%,缩短了响应时间和恢复时间。

  • 标签: ZNO纳米线 掺杂 气敏性能
  • 简介:采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明,当衬底温度为600℃时,金颗粒的催化性能得到了较好的发挥,形成长度大于10μm,直径小于80nm的均匀致密的氧化锌纳米线膜。这种氧化锌纳米线具有紫外发光特性。低于600℃时,锌氧蒸汽发生了自凝结,进而在金颗粒间隙形成氧化锌带(400℃时),或在金颗粒上吸附聚集形成花状氧化锌纳米棒(200℃时)。而在高于600℃时,金颗粒析出的锌迅速挥发或氧化、长大,出现了稀疏的针状氧化锌和颗粒。氧化锌纳米线可能的生长模式为"底端生长"模式。

  • 标签: ZNO 纳米线 衬底温度 光致发光 生长机理
  • 简介:美国斯坦福大学科学家发明了一种纳米线制作的新型锂电池,这种电池比传统充电电池的储电量提高了10倍。其技术的关键在于提高电池阳极的储电量。当电池充电时,带正电的锂离子将吸附住电流中的电子,并移动到阳极。当电池放电时,锂离子放出原来吸附的电子,放出电能,并通过导电胶回到阴极。传统电池的阳极由非常薄的碳原子层组成,而储存一个锂离子需要六个碳原子。

  • 标签: 硅纳米线 锂电池 美国斯坦福大学 锂离子 充电电池 电池充电
  • 简介:摘要纳米结构ZnO具有优良的电学、气敏、光学、光催化氧化等物理性能,广泛应用于太阳能电池、发光二极管、透明电极、紫外光探测、气敏传感器等领域。纳米ZnO是一种n型金属氧化物半导体,其物理化学性能相对稳定并且成本较低从而被广泛使用。纳米ZnO通常以膜、线、带、棒等多种形式存在,常被用于甲烷、氢气、乙醇、氨气、甲醛等气体的检测。

  • 标签: ZnO 气敏 纳米结构
  • 简介:采用水热法成功合成了ZnO纳米带。XRD谱表明该条带为六方晶系结构。格点对称群为P63mc(186),格点参数a=3.249A,c=5.5052A。SEM图表明该ZnO纳米带的长度大约为50μm、宽度为50-300nm。TEM图像表明该样品的生长方向为(0001)。详细地介绍了合成ZnO纳米板条的实验过程及生长机理。

  • 标签: 水热法 ZnO 纳米带 XRD SEM TEM
  • 简介:随着对能源需求的不断增加,可再生能源尤其是太阳能越来越受到人们的重视,光伏应用作为太阳能利用的重要途径一直是研究的热点。近几年,具有半导体纳米线结构的太阳电池引起了人们的广泛关注,由于其独特的电子传输和光吸收特性,这种新型电池在提高电池的转换效率、降低生产成本等方面将可能成为很有发展潜力的太阳电池。

  • 标签: 太阳电池 硅纳米线 太阳能利用 可再生能源 光吸收特性 能源需求
  • 简介:美国国家标准工艺研究所(NIST)的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高,而且更加易于转入商业应用。

  • 标签: 数据存贮技术 硅纳米线 元件可靠性 混合结构 标准工艺 研究人员
  • 简介:采用化学气相沉积(CVD)法,在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构,通过调节生长温度控制生长形貌,利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理,当温度较高时,原子扩散长度变大,并得到较高能量,使其能从上一层跃迁到下一层,且纳米棒底部直径变大,直径变粗。

  • 标签: ALN CVD 生长机理
  • 简介:据物理学家组织网1月28日报道,最近,由麻省理工大学研究会公司和哈佛大学科学家与工程师组成的一个跨学科研究小组合作,用“自下而上”的方法将极微细的纳米线晶体管进行复杂的组装,制造出一种超小、超低能耗的控制处理器,在制造超小电子计算机系统上迈出了关键一步,同时也将逼近的“摩尔法则”大限远远推开.相关论文发表在1月底的美国《国家科学院院刊》上.

  • 标签: 推迟摩尔 摩尔法则 法则大限
  • 简介:采用连续介质理论与分子动力学模拟相结合的方法,研究了氧化锌纳米线的振动问题.建立了氧化锌纳米线核壳模型,解释其等效杨氏模量及压电常数的尺寸效应.通过连续介质理论求得氧化锌纳米线振动固有频率,并与分子动力学模拟得到的结果进行对比.研究表明,氧化锌纳米线在极化方向的等效拉伸杨氏模量随着横截面尺寸的增加而逐渐增大,且通过核壳模型分别求得核、壳拉伸杨氏模量.拟合得到的等效拉伸杨氏模量与分子动力学方法获得的等效拉伸杨氏模量符合得很好.根据连续介质理论得到等效弯曲杨氏模量,发现等效弯曲杨氏模量也随着横截面尺寸的增加而增大.氧化锌纳米线极化方向的压电耦合能力比一般压电陶瓷好,压电常数随着横截面尺寸的增加逐渐减小.氧化锌纳米线在不同温度条件下的振动频率没有明显变化,在不同外电场条件下的振动频率有显著变化.分子动力学模拟得到不同横截面尺寸的氧化锌纳米线振动频率不同.根据连续介质理论,求得悬臂Timoshenko梁模型相应尺寸的振动频率,发现横截面的尺寸越大,连续介质理论与分子动力学模拟得到的振动频率越接近.

  • 标签: 氧化锌纳米线 分子动力学 尺寸效应 压电效应 振动
  • 简介:摘要:纳米银线透明导电薄膜具有优异的光学透过性和导电性能,是最有可能替代ITO的材料。本文简要地叙述了纳米银线的生长机理,着重介绍了近年来纳米银线的激光束焊接、化学焊接、电阻焊接及冷焊等焊接工艺现状,并对纳米银线透明导电薄膜的应用前景进行了展望。

  • 标签: 纳米银线 生长机理 导电性 焊接工艺
  • 简介:德国马普学会微结构物理研究所首次在铝微粒上生长了硅纳米线。铝粉起到生长纳米线的催化剂作用。这一进展很有意义,因为硅纳米线有助于进一步减小微芯片的尺寸。

  • 标签: 硅纳米线 铝粉 微粒 物理研究所 马普学会 微结构
  • 简介:采用固一液一固(SLS)生长机制,研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火,退火温度为1050℃和1080℃,退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化,分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果,并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理。

  • 标签: 硅纳米线 常压 SLS生长机制
  • 简介:摘要:本文对水热法制备ZnO及掺杂型ZnO纳米材料的研究进行综述汇总,有望为水热法在纳米材料中的应用与研究提供参考与借鉴。

  • 标签: 水热法 ZnO   掺杂 纳米材料
  • 简介:ZnO纳米颗粒是一种绿色环保、合成成本低的材料,广泛应用于发光以及光催化领域。稀土元素具有独特的性质,通过稀土元素掺杂ZnO,可以得到具有优良特性的发光材料和光催化剂,同时在传感以及抗菌方面也有巨大的潜力。文章介绍了稀土元素及ZnO的特性,总结了稀土掺杂ZnO纳米颗粒在光致发光、光催化等方面的原理及应用,为稀土掺杂ZnO材料的进一步发展提供参考。

  • 标签: 稀土 ZNO 掺杂 光致发光 光催化
  • 简介:通过用硅烷偶联剂对纳米ZnO进行表面改性,使其均匀分散在乙醇中,对改性前后的ZnO分别通过XRD、IR、SEM表征,并测定Zn0/乙醇分散液和通过SD将纳米ZnO涂覆到雨伞布料后的抗紫外性能。结果表明:纳米ZnO通过偶联剂的改性后,晶体结构无明显变化,ZnO表面羟基与偶联剂分子结合后可均匀分散在乙醇中;在Zn0/乙醇分散液中,ZnO质量浓度仅需0.2‰,紫外线透过便可控制在5%以下;在布料涂敷少量的纳米ZnO后,其抗紫外性能可明显提高。

  • 标签: 纳米ZNO 表面改性 抗紫外 纳米材料表征 硅烷偶联剂
  • 简介:在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶,用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜,XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构;SEM与AFM表明,纳米晶薄膜在300%退火后薄膜的厚度明显减小到130nm,表面粗糙度降低到3.27nm,粒径明显增大;紫外-可见吸收和透射比光谱表明,随着退火温度的增加,吸收边发生了红移,吸收肩更明显,薄膜具有高的透射率(75—85%);薄膜方阻随温度增加而增大,300℃以下退火方阻增加很小(小于8.5Ω/sq),400℃以上退火方阻大幅增加(大于21.1Ω/sq),因此,ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。

  • 标签: ZNO纳米晶 ZNO薄膜 水热法 旋涂法