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AlN纳米线CVD生长机理分析

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摘要采用化学气相沉积（CVD）法，在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构，通过调节生长温度控制生长形貌，利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理，当温度较高时，原子扩散长度变大，并得到较高能量，使其能从上一层跃迁到下一层，且纳米棒底部直径变大，直径变粗。

DOI pj0xg5o0jy/1299875

作者高媛;胡明哲

机构地区不详

出处《纳米科技》 2013年6期

关键词 ALN CVD 生长机理

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2013年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

纳米科技

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