简介：摘要：硅电压基准二极管是高可靠性稳压二极管，其中温度系数是硅电压基准二极管的重要参数，由于该参数的测试方法对各项参数精度要求过高，国内现有设备都为仪器仪表单个组件，搭配起来用于试验验证，整个测试过程都为人工手动测试，而用于批量筛选试验的自动化测试设备国内外均未发现成品设备销售，本文采用一种模块化的方式构建测试，并采用计算机编程将各模块连接起来，达到自动化批量测试的功能。

简介：摘要PN结在正向和反向偏置状态下的压降受温度影响结果相反，当正向偏置的PN结随温度升高而压降增大时，反向偏置的PN结压降则下降，这样一个压降增大,另一个减小，相互抵消,使两个PN结压降之和基本不变，达到温度补偿的目的。

简介：摘要： PN结在正向和反向偏置状态下的压降受温度影响结果相反，当正向偏置的 PN结随温度升高而压降增大时，反向偏置的 PN结压降则下降，这样一个压降增大 ,另一个减小，相互抵消 ,使两个 PN结压降之和基本不变，达到温度补偿的目的。

简介：半导体照明LED及其应用产业化;优化GaN基发光二极管的电极;用于制备硅LED的太阳能电池技术;采用半导制冷的集成大功率LED.

简介：

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简介：从光电二极管的工作原理出发,对硅光电二极管的光谱响应度进行了论述。分析表明,入射光子的能量、材料的禁带宽度和吸收系数是光谱响应曲线具有波长选择性的主要原因。

简介：摘要APD光电二极管是在光探测研究中使用的一种重要的光伏探测器元件，在光电系统领域中有着举足轻重的地位，我国光电领域的科研人员对APD光电二极管的研究十分重视，如何对APD光电二极管的性能进行测试成为了科研人员需要攻破的首要难关。本文主要介绍的针对APD光电二极管的部分特性测试，主要包括暗电流、光电流的测试、APD光电二极管的电压特点、APD光电二极管的光照性能测试、APD光电二极管的达到什么条件会击穿的测试以及APD光电二极管的响应度与倍增因子情况的测试研究。

简介：介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

简介：

简介：摘要半导体二极管在许多的电路中起着重要的作用，

简介：介绍了PIN光电二极管探测器的工作原理及基本结构，设计了探测器的测试系统，说明了测试系统中各个组成部分的结构和功能。利用该系统对PIN管光探测器电路的电特性进行了测试，测试结果表明PIN光电二极管探测器的响应特性符合技术要求。

简介：瞬变电压抑制二极管（英文缩写Tvs）是一种新型电子元件，具有很强的过压、过流耐冲击能力，瞬态功率可达数千瓦乃至上万瓦。除能取代稳压二极管作钳位、稳压、削峰等用途外，还能取代压敏电阻作交、直流电压过压保护，且耐冲击能力远大于稳压二极管，钳位精度远高于压敏电阻（钳位电压误差小于5％）。

简介：以二极管注射模为例,分析了放镶件注射模设计的重点与难点,介绍了塑件成型工艺、浇注系统和模具结构的设计技巧。

简介：改革开放之初，两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后，他们先后给留守国内的笔者来信，言及回国后想大干一场的志向。其中，他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中，又不约而同地列有“快导通二极管”一项，问我什么是“快导通二极管”?请我向他们解释一下。

简介：美国能源部(DOE)最近向新泽西州的Universal显示器公司(UDC)提供研究资金，以推进有机发光二极管(OLED)的研发。OLED是更为省能的光源，因为与目前使用的具有100多年历史的传统光源相比，OLED伴生的热量较少，而且可以在低得多的电压下工作。DOE提供的数据表明，如果到2025年美国能全部采用固态光源照明，每年节约的能源费用可能超过250亿美元。UDC的一个开发项目是高照度效率的白磷OLED，采用新技术来进一步降低光源的工作电压，其商品名为Pholed。

简介：今发光二极管使用得越来越普遍了,从最近得来的信悉,紫外发光二极管配上荧光粉后,将紫外线转变为可见光,其发光效率可接近100lm/w,真可谓变幻莫测,前途无量.为了使读者在应用发光二极管作二次开发产品时有所帮助,本篇收集了有关发光二极管应用时必须知道的一些资料,如:特性和参数,列出其应用方法,帮助对该产品有一个粗浅的了解,便于入门.

简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。