简介：

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简介：本实验用惠斯通（Wheatstone）电桥测量了半导体电阻R随温度的变化规律，同时确定了本征半导体材料的禁带宽度△E。

简介：讨论了可调谐半导体激光器的发展，对可调谐外腔半导体激光器的研究情况进行了综述，并报道了外腔半导体激光器的应用。

简介：对电阻性的接闪器消雷可能性加以评论。理论分析和初步验证试验均不能支持所谓"消雷器"的"限流功能"。现场应用的证据表明"半导体消雷器"不能提供比常规避雷针更好的保护。

简介：本文对半导体消雷器研究提出几点质疑,并认为半导体消雷器的理论与实验检验不可信,阐述了在自然科学领域里必须贯彻"实践是检验真理的唯一标准"这一原则。

简介：问:半导体消雷器(SLE)的作用是什么?它与导体消雷器的区别在哪里?答:半导体消雷器不是以"中和"为纲,而是以"限流"为纲,即当尖端放电不足以中和雷电而发生对地雷击时,它可以把雷电流限制到原值的千分之四左右,这样就可以把雷电的破坏性予以消灭。问:实际应用中,曾发生过雷击SLE的情况,那么是不是说明SLE是失败的呢?答:如上所述,SLE具有将雷击电流限制

简介：本文报导的高锰酸根半导体传感器（简称MnO4-—ISFET）是以乙基紫—MnO4-缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础上发展起来的又一化学半导体传感器,是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单,并且具有半导体传感器的固有特点,如微型化、

简介：得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

简介：介绍了钝化离子注入半导体探测器的工作原理和制备工艺，两种探测器制备的灵敏面积分别为10mm^2和25mm^2，辐射性能测试实验结果表明该探测器具有响应线性度好、噪声低、偏压低等优点，反向偏压为3V时，剂量率监测范围为：1×10^-3～1×10^3cGy／h．

简介：摘要本文介绍了半导体制冷器的基本工作原理、优点、缺点和随后对半导体的相关公式进行了推导。最后根据半导体的研究现状，提出了半导体制冷器的主要性能参数，为今后的半导体制冷技术研究提供借鉴。

简介：简要介绍了半导体辐射探测器的发展，并介绍了部分新型探测器的结构原理和特点。

简介：飞兆半导体推出全新1200VFIELDSTOPTRENCHIGBT系列器件；MIPS科技推出嵌入式市场的多线程、多处理器IP核；NEC电子新款数字电视用系统芯片亮相中国市场。

简介：触摸屏技术是当今许多电子产品的主要技术，但驱动触摸屏发展的触觉技术遇到缓慢响应时间及大量电池消耗的难题。美国飞兆半导体公司开发了FAH4830触觉驱动器，帮助设计人员应对这些挑战，并通过极佳识别能力及用户友好界面增强终端用户的体验。

简介：文中阐述采取措施消弱或避免油罐附近的直击雷,用理论和运行经验说明半导体少长针消雷器具有良好的防雷效果。

简介：分析了通信用光电子器件的分类，介绍了半导体光电子激光器件的发展背景和工诈原理，同时分析了半导体光电子激光器件的技术重点以及市场前景。

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简介：介绍了微结构半导体中子探测器的原理,从微结构形式、制作工艺、理论模拟及实验研究等方面综述了微结构半导体中子探测器近年来的研究进展。可以看出,微结构半导体中子探测器结构、参数、中子转换材料填充密度及甄别阀大小等因素对中子探测效率有影响。微结构半导体中子探测器具有中子探测效率高、体积小、时间响应快、工作偏压低等优点,是替代^3He正比计数管的理想器件。

简介：在室温下，该种探测器的暗流达到微安量级，即使在现有最强的γ辐射源下，输出的电流也仅有微安量级，信噪比只能达到约为1。以前使用的PIN半导体探测器，其γ光子灵敏度仅用理论计算值，计算值的可靠性与精度需实验标定检验，成功标定的关键就是如何提高探测器输出的信噪比。由于条件的限制，以前没有实际标定过。现在，利用PIN半导体探测器的暗流与温度有关这一规律，采用半导体制冷器降低探测器环境温度实现降低暗流的目的。

简介：21世纪是光的时代,光电子器件及技术快速发展,在我们身边无处不在。对比微电子器件在信息处理上的应用,我们不由得要思考为何要用光电子器件,将光电子器件用在何处,以及如何用光电子器件这几个问题。高速半导体激光器作为光通信系统中具有代表性的器件之一,在光通信和微波光子技术等领域中发挥着越来越重要的作用。系统介绍了高速直接调制激光器的基本概念,高速激光器的应用领域与分类,并讨论高速激光器面临的技术挑战与发展趋势。