简介：

简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

简介：介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

简介：摘要：肖特基二极管作为一种重要的功率二极管，广泛应用于电力电子线路的整流器和直流转换器中。宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）由于其拥有超大的禁带宽度，高击穿场强，可调的n型掺杂浓度和低成本的单晶生长技术，因而非常适合制作功率肖特基二极管。但是目前氧化镓的研究还处于初期，更大尺寸高质量单晶材料的制备、器件结构和工艺的优化等重要问题仍需探索并解决。本文通过统计、分析氧化镓肖特基二极管的中国专利申请，梳理了其研究进展。

简介：摘要： 本文从势垒溅射工艺、势垒形成工艺和粗铝丝键合技术方面设计了高压大功率肖特基二极管。

简介：Zetex半导体公司近日推出一款新型肖特基势垒二极管——ZLLS350。该器件在30V下的典型及最大逆向电流分别为1μA和4μA，有助延长充电器和发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。

简介：半导体照明LED及其应用产业化;优化GaN基发光二极管的电极;用于制备硅LED的太阳能电池技术;采用半导制冷的集成大功率LED.

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简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

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简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

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简介：摘要半导体二极管在许多的电路中起着重要的作用，

简介：凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出通用电源管理集成电路LTC2952，该器件对系统电源和系统监视功能具有按钮开／关控制。其电源管理功能由两个理想的电源通路（PowerPath）控制器实现，适用于需要用理想二极管“或”功能实现负载共享，或在两个输入电源之间自动切换的应用。低损耗切换通过调节两个外部P沟道MOSFET实现，这两个MOSFET在导通时典型压降值为20mV，并且切换是可配置的，以满足各种应用的需求。

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：以二极管注射模为例,分析了放镶件注射模设计的重点与难点,介绍了塑件成型工艺、浇注系统和模具结构的设计技巧。