简介:摘要利用射频磁控溅射法制备了以石英基底的两种金属氧化物底电极以及不同氧氩比条件下的锆钛酸铅(PbZr0.52Ti0.48O3,PZT)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、对不同氩氧比(ArO2)与氧化物底电极(氧化铟锡ITO、氧化锌ZnO)PZT薄膜的表面微结构进行了表征,采用铁电性能测试仪测试了PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽电压及抗疲劳等参数,探讨了ITO及ZnO底电极对PZT铁电薄膜的疲劳特性影响及机制。结果表明,薄膜介质层PZT呈多晶钙钛矿结构,主要为(110)、(111)晶相,ZnO/PZT/Ag薄膜剩余极化强度最高7.14μC/cm2,经1×107次极化翻转后剩余极化强度仍旧为原状态的92.3%,对不同氩氧比(ArO2)下制备的ZnO/PZT/Ag薄膜经过表征分析,氩氧比为71时其衍射峰(110)半高宽最小。