简介：摘要晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。

简介：论文是以半导体材料硅单晶生长为背景,把嵌入式机器视觉系统引入到视频图像采集、处理与显示的研究中。目的是研究一种小型化、智能化的嵌入式产品解决方案,服务于广阔的市场需求。论文将采集到的晶体生长图像并通过软件实现视频图像处理系统中的图像处理算法,对直拉法晶体硅棒生长速度的测量,使其产生模拟电平送至工控机,从而对晶体生长速度加以控制,使系统达到测量数据可读化。

简介：美国密歇根大学研究人员最近开发出一种低温制造晶体硅的新途径，有望让计算机和太阳能电池更便宜更环保。二氧化硅约占地壳总量的40％，但是将二氧化硅转变成晶体硅的工业方式不仅成本高，同时极端的加工条件带来了严重的环境污染。密歇根大学化学和应用物理教授史蒂芬·马尔多纳多说，目前现代电子产品中的晶体硅是在超过2000华氏度（约1093摄氏度）高温条件下通过一系列高能耗化学反应获得，整个过程会产生大量的二氧化碳。

简介：摘要：科学技术的进步加大了人民生活生产过程中对太阳能电池的应用程度，相关企业顺应这一趋势，积极对太阳能电池效率影响因素进行探究，并对其应用过程存在的问题进行解决与完善。晶体硅太阳能电池是现阶段较为常见的一种太阳能电池，被广泛应用与社会各界中。本文对晶体硅太阳能电池异常原因进行分析，探究降低其效率异常问题的有效途径，以期为相关企业提供参考。

简介：摘要：晶体硅作为一种半导体材料，具有优异的光电转换性能，因此在太阳能电池的制造中得到了广泛应用。它的晶体结构稳定，能够有效地吸收太阳光，并将其转化为电能。在太阳能电池的发展历程中，晶体硅也逐渐成为主流材料，极大程度的增加了太阳能电池的转换率。基于此，本文将对目前太阳能电池所使用的晶体硅标准进行探讨，仅供参考。

简介：【摘 要】：太阳能不会造成环境污染，因此可以作为清洁能源使用，这也是应用太阳能光伏发电设备的主要目的。高纯晶体硅可以作为太阳能光伏发电的主要原料，因此在进行生产工作的过程中 ,也要注重清洁生产关键技术的研究工作，提升经济生产的工作水平。本文主要进行高纯晶体硅生产技术的研究工作，了解清洁生产技术的重要性，旨在为高纯晶体硅清洁生产提供工作的研究动力。

简介：2017年5月23日，美国国际贸易委员会（ITC）发布公告，应美国企业Suniva，Inc．的申请，根据美国《1974年贸易法》第201条款，对进口晶体硅光伏电池（无论其是否部分或全部组装入其他产品）启动全球保障措施调查，以确定大量增加的涉案产品进口是否对美国相关产业构成实质性损害或损害威胁。

简介：摘要太阳能属于可再生资源，具有用之不竭、取之不尽的特点，这也推动了晶硅太阳能电池产业的快速发展。我国是晶硅太阳能电池制造大国，但在发展过程中，我国晶硅太阳能电池却遇到了一系列制约性瓶颈，对此要引起高度重视。本文对晶体硅太阳能电池的结构进行研究，分别对PESC、PERT、PERL等电池结构进行研究，旨在推动太阳能电池结构的发展。

简介：摘要:本研究致力于多晶硅晶体生长自动化控制技术的深入研究。通过综合利用先进的晶体生长设备和先进的控制算法，实现了多晶硅晶体生长过程的高度自动化。研究中采用了先进的传感技术，实时监测晶体生长过程中的关键参数，包括温度、浓度、流速等，以实现精确的控制和调节。同时，采用了先进的数据分析技术，对大量的实验数据进行分析和挖掘，以进一步优化生长过程。本研究的成果将有助于提高多晶硅晶体的质量和生产效率，推动半导体行业的发展。

简介：<正>由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种材料。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料,就像石墨烯一样,被证明具有超凡脱俗的导电性能,这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地,特别是人们对获得更快或更小的计算机芯片抱有无限希望的情形下。问题是,硅烯非常难制备,用单张硅烯来完成工作更是难上加难。距离物

简介：

简介：美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用III-V族化合物砷化镓铟代替硅，研制出全球首款全门三维晶体管，可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。

简介：

简介：摘要：在我国科技水平不断提升的背景下，各项先进技术被广泛应用于不同领域中。其中，在清洁能源开发、应用过程中离不开晶体硅太阳电池的支持，其是当前应用率较高的太阳电池。而晶体硅太阳电池的有效连接需要借助硅芯片基板的金属化制造技术（即高精密印刷技术）加以相应处理才能保证太阳电池的能量转换效率。对此，文章就晶体硅太阳电池的丝网印刷技术及其质量控制措施进行了探讨，以供参考。

简介：据媒体报道，日前，中科院微电子所在基于下转换原理的高效晶体硅太阳能电池研究中取得进展。成功开发出新型半导体纳米材料，这种新型半导体材料能带宽度可根据尺寸、材料组份等进行灵活调节。将该下转换材料与大规模量产型125mm×125mm晶体硅衬底结合，研制出下转换高效晶体硅电池。

简介：[摘要] 随太阳能光伏发电产业的持续发展，晶体硅电池作为此产业当中主流产品。太阳能转换效率是光伏产品的核心指标，若想提升产品转换效率，就需要从其表面织构与其制备层面研究着手。本文主要探讨晶体硅电池表面部位光功能的织构与其制备的当前研究进展情况。

简介：

简介：【 摘 要 】 如今对于半导体材料硅的研究已经日渐成熟，硅已经是最广泛应用的一类半导体，在微电子和集成电路行业中硅占据着主导地位，通常通过掺杂杂质来改变硅的导电性 能，硅的掺杂技术已经被普遍应用并且越来越成熟，并制成各种器件。然而在应力和本征缺陷对硅的电学性质的作用却很少提及。在对半导体材料的研究和学习中可知，缺陷的电学特性对半导体也有着一定的影响，参杂原子可以提供载流子提高其导电特性，而空位等缺陷在禁带中产生深能级，因此缺陷影响着半导体的禁带宽度和载流子数目。因此缺陷对硅的导电特性起着至关重要的作用。当对硅晶体某一晶向上施加一个拉伸或压缩的应力时会对硅结构造成一定的影响，导致禁带宽度会发生变化，使其导电性能也发生变化。本文所进行的工作就是研究应力和本征缺陷双重因素作用下影响硅电学性质机理 的第一性原理的研究。利用 Materials Studio 6.0 软件来计算分别对硅的 和 晶向施加拉伸和压缩的应力其电学性质变化并绘制应力随应变曲线，并且绘制出能带图、态密度图、分波态密度图，进一步解释其应力和本征缺陷对硅导电性质机理的影响。从而寻找不依赖掺杂而只利用本征缺陷和应力来调控硅的电学性质的方法。利用应力和 本征缺陷调节硅的禁带宽度改变半导体的性能并通过能带图、分波态密度图、态密度图进行理论分析其机理。 并解释应力和本征缺陷作用下硅晶体宏观现象的微观本原，并为硅工业发展提供理论支持。

简介：19世纪中期,美国作家梭罗(HenryDavidThoreau)曾在沃尔登湖湖畔的小木屋里隐居两年,体验简朴生活。用他自己的话说,"IwenttothewoodsbecauseIwishedtolivedeliberatelytofrontonlytheessentialfactsoflife,andseeifIcouldnotlearnwhatithadtoteach,andnot,whenIcametodie,discoverthatIhadnotlived."因此,在某种程度上,他著名的《沃尔登湖》一书成了舍弃丰富物质生活,追求充实精神世界的宣言。难怪当今简约生活和慢生活的倡导者将他视为鼻祖。

简介：家,就像你身心安顿的容器,它可以包容你讲述的心事,也可以为你刻画心情。从行人摩肩接踵的街道转身,我们恣意地一头扎进独处的曼妙滋味,在简洁自在中体味生活的浪漫情调。浪漫的家居风格在不同的时代被注入了不同的性格,在这个感受温暖的季节,和我们一同奏响浪漫主义的新年序曲。