简介:将反馈干预作为外部线索引入元记忆研究,采用重复学习任务,在第一轮次学习-测验之后插入反馈干预,用两个实验分别考查任务反馈和能力反馈两种形式下的反馈效价对第二轮次即时学习判断的影响.结果表明:①在学习过程中,学习者会进行自我监测;②在任务反馈形式下,反馈信息与自我监测信息冲突,导致反馈干预对元认知监测和认知过程没有影响;③在能力反馈形式下,反馈信息与自我监测信息的冲突消失,结果消极反馈影响了元认知监测.由此得出结论:只有在不与自我监测信息冲突的情况下,反馈干预才对学习判断产生影响.此外,在有反馈干预的情况下,两个实验中都出现了显著的练习伴随低估效应.
简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。