简介:摘要GaN高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor,HEMT)等效电路模型表征是射频集成电路设计的前提,而建立等效电路模型的关键在于提取参数是否具有物理意义,因此等效电路参数提取研究是器件建模的关键。目前等效电路参数的提取精度,受限于测量数据的工作频段和被测器件的偏置条件。传统等效电路模型缺乏频率外延和偏置点内插的仿真能力。随着器件特征尺寸持续下降,高频特性不断提高,GaNHEMT小信号等效电路参数精确提取的难度升高,从而加大电路研发成本。为此针对上述问题,本文利用支持向量回归(Supportvectorregression,SVR)突出的频率外延和偏置点内插能力,开展了以下研究工作。
简介:荧光灯及与其配套使用的镇流器发展至今,不用启动器即快速启动的点灯方式已越来越广泛被采用。各种快速启动镇流器也涌现出来,现在已有变压器预热加镇流器型,电感电容半谐振型,漏磁升压超前顶峰型以及电子线路启辉与电感镇流器型等。尤其是我国外向型经济的倔起,出口电感镇流器中,供电电压在100V-120V,以及国内127矿用电压对30W及以上的灯,由于普通扼流圈型镇流器无法使用,除采用电子镇流器以外,一般都采用漏磁升压超前顶峰型镇流器。该种镇流器与电子镇流器相比,有可靠性好,成本较低,无高频辐射等优点,与普扼流圈型镇流器相比,有功率因数高,灯启动快,灯寿命长等优点,因此目前也有较大的市场。我国新制定的镇流器国家标准,也增加了不用启动器类镇流器。由于上述各种镇流器点灯的方式不同,与传统的测量方法也不同,因此如何正确测量该种电路的电参数是一个值得探讨的问题。本文主要把该种镇流器各项参数测量中与传统扼流镇流器有不同之外,且IEC标准中又未详细介绍的几项测量方法提出来,供大家交流讨论。1.灯的工作电流的测量
简介:摘要随着电力系统的迅速发展和各种非线性电气设备的大量接入,电力系统的谐波问题日趋严重。目前,电压等级的变电站已普遍采用电容式电压互感器(CVT),但国家标准明确规定,电容式电压互感器不能用于谐波测量。深入研究CVT的谐波传递特性和测量误差,对于全面掌握CVT的谐波特性,并在此基础上寻求合适的测量误差减小方法等都具有重要意义。