学科分类
/ 25
500 个结果
  • 简介:本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜,反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜(SEM)和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明:随着CH4流量的增加,金刚石的成核密度增加,并出现二次形核,金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为:生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层,金刚石在非晶碳层上成核长大,并伴随着二次成核,最终形成多晶金刚石膜。

  • 标签: 多晶金刚石薄膜 MPCVD 生长特性 化学气相沉积系统 单晶硅衬底 RAMAN光谱
  • 简介:摘要:本文主要研究了以硅烷为气源的等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)技术在制备多晶薄膜方面的应用。首先,我们对ICPECVD技术进行了简要介绍,分析了其作为一种有效的薄膜制备方法的优点。然后,详细讨论了硅烷作为气源在ICPECVD过程中的作用和影响,包括硅烷的分解机制、反应路径以及硅烷流量对多晶薄膜生长的影响。此外,我们还研究了反应温度、功率、压力等工艺参数对多晶薄膜结构和性能的影响。通过优化工艺参数,我们成功制备出了高质量的多晶薄膜。最后,我们对实验结果进行了总结和分析,提出了进一步提高多晶薄膜质量的方法和未来的研究方向。

  • 标签: 硅烷 ICPECVD 多晶硅薄膜
  • 简介:【摘要】多晶硅纳米薄膜重掺杂下具有优越压阻特性。利用有限元分析法,分析传感器弹性膜片应变分布。根据多晶硅纳米薄膜电阻率较高特性设计正方形压敏电阻。利用低压化学气相淀积法制备多晶硅纳米薄膜,且硅片在各向异性腐蚀液中形成硅杯结构并制成多晶硅纳米薄膜压力传感器。针对传感器静态性能测试,0-6MPa量程范围内传感器灵敏度达112.86mV/Mpa,测试表明,该多晶硅纳米膜压力传感器达到设计要求。

  • 标签: 多晶硅纳米薄膜 压力传感器 性能分析
  • 简介:摘要:使用替代人类的常规化石燃料,世界各地的二氧化碳排放量增加,导致全球冰川融化,海平面上升,威胁着人类的生存。人们越来越需要绿色和清洁的能源系统。利用太阳能作为减少能源消耗、促进绿色发展和实现环境理念的主要手段之一,是世界能源和能源工业日益重要的一个方面。2015年,中国光伏电池在全球磷化氢工业的光波增长中获得了全球磷化氢力量。但不容忽视的是,2014年中国仍存在3 GW以上的注册差距。因此,重要的是分析我国能源产业的影响,以理顺阳光照射,减少要插入的晶体数量,提高硅酮产量。

  • 标签: 多晶硅(n+),磷氧化物,硅氧化物,光电子谱
  • 简介:多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;

  • 标签: 多晶硅 单晶硅 晶面取向 物理性质 力学性质 各向异性
  • 简介:摘要:随着光伏产业的蓬勃发展,国内多晶硅行业短短十几年就达到了产量世界第一,生产成本世界先进。在多晶硅行业规模经济时代,加上电价政策和光伏补贴因素的影响,各多晶硅厂商进入加速淘汰阶段。然而,在高质量电子多晶硅的生产中,由于缺乏可靠的技术支持,他们一直进展缓慢。基于此,以下对结合多晶硅国家标准浅析电子级多晶硅生产控制要点进行了探讨,以供参考。

  • 标签: 多晶硅国家标准 电子级多晶硅 生产控制要点
  • 简介:摘要:随着光伏产业的蓬勃发展,国内多晶硅行业短短十几年就达到了产量世界第一,生产成本世界先进。在多晶硅行业规模经济时代,加上电价政策和光伏补贴因素的影响,各多晶硅厂商进入加速淘汰阶段。然而,在高质量电子多晶硅的生产中,由于缺乏可靠的技术支持,他们一直进展缓慢。基于此,以下对结合多晶硅国家标准浅析电子级多晶硅生产控制要点进行了探讨,以供参考。

  • 标签:         多晶硅国家标准 电子级多晶硅 生产控制要点
  • 简介:通过控制温度和湿度,用垂直沉积法快速制备出了不同厚度的高质量二氧化硅和聚苯乙烯胶体晶体薄膜。用透射光谱和反射光谱对制备的样品的光学特性进行了表征,并与理论计算结果进行了对比分析;用衍射光谱中的布拉格衍射峰两侧的波纹测量了薄膜厚度,并对薄膜厚度对其光学特性的影响进行了分析,为用厚度调制胶体晶体薄膜光学特性和实际应用创造了条件。

  • 标签: 胶体晶体薄膜 光学特性 厚度 垂直沉积法
  • 简介:文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

  • 标签: 多晶电阻 离子注入 多晶淀积 方块电阻和均匀性
  • 简介:摘要多晶硅项目工艺复杂,建设质量要求较高,资金投入量大,因此在建设期应做好投资预算和成本控制,针对工程项目的特点进行有效的管理,合理控制造价,确保建设资金的合理利用。

  • 标签: 投资 造价控制
  • 简介:近日,美国和韩国一些企业的多晶硅以每公斤21美元的低价涌人中国,而国内企业产品价格一般是35美元左右,从去年下半年开始,国内多晶硅市场进入了一个非常寒冷的“冬天”。2012年,全球多晶硅总体产能预计为32.8万吨,比去年的28.5万吨增长15%。相比之下,今年全球多晶硅需求预计只有19.6万吨,比2011年的20.5万吨减少4%左右。

  • 标签: 多晶硅 低价 国内企业 产品价格 市场进入
  • 简介:又名新型防热片,其厚度为12—50微米,用于建筑物窗户的绝热,可以遮阳,防止室内陈设物褪色,减低冬季热量损失,节约能源,增加美感。使用时,将特制的防热片贴在玻璃上,能将透过玻璃的大部分阳光反射出去,反射率高达80%。防热片能减少紫外线的透过率,减轻紫外线对室内家具和织物的有害作用,减弱室内的温度变化程度,也可避免玻璃碎片的伤人。

  • 标签: 窗用绝热薄膜 紫外线 反射率 室内温度 绝热性能
  • 简介:薄膜物理与制备技术研究对于惯性约束聚变(ICF)实验具有重要意义,2003年开展的研究工作主要包括几个方面的内容:低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)法微球CH涂层及掺杂(溴等)技术研究;脉冲激光沉积(PLD)法Fe/Al合金薄膜研制;磁控溅射法Au/Gd,Ti/A1,Ti/Cr支撑薄膜研制;碳氢氮(CxNyH1-x-y)薄膜制备技术研究。相应主要结果如下:(1)利用低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)装置深入考察了以反式-2-丁烯如下:

  • 标签: 薄膜物理 制备工艺 惯性约束聚变实验 低压等离子体化学气相沉积 磁控溅射法
  • 简介:那年月,我们村里设办的小学最高班级只有四年级,当我读五年级的时候,便转到镇上一所小学。当初的父亲沉于赌桌,家里一贫如洗。先前每年都交不起村学校学费,转到镇上的那所学校依然如此。这样的家庭使童年的我心灵自卑,性格也变得怪僻。同学们去操场游玩,我一个人呆在教室;夏天同学们穿一件短袖,我却穿着足让自己流汗的秋衣;学

  • 标签: 薄膜 母亲 学校 老师 同学 操场