简介:摘 要:本文分析了引起传统工艺制造的 VDMOS阈值偏高的因素:体区浓度和栅氧厚度,提出了工艺窗口筛选的方案,实验结果表明该方案在器件的击穿电压、通态电阻以及源漏间漏电流不发生改变的同时,实现了阈值电压的调整,达到了 3.45V的设计要求。同时研究了 Pbody不同注入剂量 5.5E13、 5.3E13、 5.0E13和 4.8E13对高压小电流 VDMOS产品阈值电压的影响。
简介:摘要近年来由于工业生产和居民生活水平的提高以及国家对环境保护的重视,使得电能的使用量越来越多,供电系统中各供电设备也是越来越多,而且随着科学技术的发展,供电设备的管理技术也是越来越智能化,但是当各种电器设备串入到供电系统中,尤其是控制开关、输电导线、电流互感器以及电缆的串入会受到电流、电压的双重作用,并且由于电流的通过会产生热量,使串入到供电系统中的电气设备在运行过程中发热,而且电压对电气设备的绝缘材料破坏也是不容小觑的,再加上电压电流的双重作用也会导致强烈的振动作用会使供电系统中的电气设备的稳定运行受到严重的影响,所以为了加强对电力系统各电气设备稳定运行的测试和研究可以建立智能型电压电流双施加试验系统,融合电压试验和电流试验,使电力系统中的电气设备的检测更准确有效。