简介:采用选晶法在真空定向凝固炉中,制备了C含量分别为0.019%、0.048%、0.074%和0.094%的单晶高温合金,合金表面吹沙后分别在1250、1300℃进行真空热处理,研究不同C含量对单晶高温合金再结晶的影响。结果表明:随着合金中C含量升高,碳化物含量增多,其形态由块状转变为骨架状、发达骨架状;随着C含量增加,合金再结晶层深度无明显变化趋势,这表明碳化物对合金再结晶无明显的抑制作用,随着热处理温度升高,再结晶厚层深度明显增加;C对单晶高温合金再结晶抑制作用与形成碳化物的形态和密度有关,在合金表层形成高密度的碳化物,从而对再结晶晶界形成钉扎作用,阻碍晶界的迁移,能够起到抑制再结晶的作用。
简介:摘要由于磷元素具有较强的挥发性,作为掺杂剂掺入硅熔体后的全部过程都在大量挥发,尤其是重掺磷超低阻单晶的拉制,不仅掺杂效率低,并且挥发剂量受拉晶时间影响较大,所以在电阻率控制的准确度方面存在非常大的困难。本文主要通过对重掺磷单晶生长过程中的杂质掺杂方式和轴向电阻率控制等技术的研究,实现对重掺磷直拉硅单晶电阻率的有效控制。
简介:【摘要】孩子的心田是一块奇怪的土地,你播下思想的种子,就会获得行为的收获;你播下习惯的种子,就会获得品德的收获;你播下品德的种子,就会获得命运的收获。如果把孩子比为花朵,老师就是园丁;若把教学比为劳作,培优辅差则与浇水、施肥无异。