简介：硅钙合金是一种炼钢脱氧剂，其中若存在游离硅、二氧化硅杂质会影响炼钢脱氧效果，目前国家标准无硅钙合金中游离硅分析方法。研究了氢氧化钠溶液提取非合金相硅的条件，用硅钼蓝光度法分析硅含量，分析方法回收率达95．9％，可用于硅钙合金中非合金相硅测定。

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

简介：针对硅微振梁式加速度计输出频率随环境温度漂移的问题，提出了抗温漂的硅微结构设计方法及相关工艺，降低了环境温度对输出的影响，在室温条件即可达到一定精度。通过建立“硅-玻璃”和“玻璃-陶瓷”耦合模型，分析了造成硅微振梁式加速度计温度漂移的原因。然后提出了“抗温漂耦合设计”的微结构和“半粘结封装”的封装工艺，降低了耦合模型中的理论温漂。利用加工出的原理样机进行实验，结果显示，采用抗温漂结构设计及封装工艺的原理样机，输出频率的温漂系数为-3.5×10-6/℃，室温下零偏稳定性为72.0μg。实验验证了抗温漂理论的可行性，可以满足室温下高精度硅微振梁式加速度计的设计要求。

简介：硅泡沫垫层材料同其他高分子材料一样同样存在老化的问题，在使用和贮存过程中会受到温度、湿度、氧化、应力等因素的影响而发生老化，性能劣化。因此，研究其相对薄弱环节的贮存老化性能是很重要的。

简介：通过硝酸、氢氟酸和盐酸分解试样，高氯酸冒烟驱走硅和氟，最后用盐酸溶解盐类，选择Al（396．152nm）、Ca（315．887nm）作为分析谱线，电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES）法测定硅锆合金中的铝和钙。研究了锆离子（0．3mg／mL）和铁离子（0．2mg／mL）共存体系中基体效应和光谱干扰对待测元素测定的影响。结果表明，该质量浓度的锆离子和铁离子对待测元素的测定结果不产生影响。铝和钙的质量浓度在10～50／ag／mL，其线性相关系数均不小于0．999，方法中铝和钙的检出限分别为0．009μg／mL和0．006μg／mL。按照实验方法测定硅锆合金中的铝和钙，结果的相对标准偏差（RSD，n=10）分别为0．85％和1．4％。方法适用，结果令人满意。

简介：介绍了硅微机械谐振式陀螺仪的工作原理,给出了硅微机械谐振式陀螺仪的动力学方程详尽推导.针对此方程进行仿真研究,对结构设计参数进行了估计.研究表明,硅微机械谐振式陀螺仪是一种很有发展前途的新型陀螺仪.

简介：采用超增溶纳米自组装原位合成法制备催化剂硅铝载体.实验表征结果表明,用超增溶纳米自组装原位合成法能够制备出形状规则、尺寸均一的纳米球状粒子.该纳米硅铝载体上布满了由纳米粒子搭建的孔属于介孔材料,比表面积在222.61-286.08m^2/g之间,孔容在0.486-0.625mL/g之间,平均孔径在7-10nm之间,并且以大孔和中孔为主.酸性主要分布在弱酸和中强酸区,并且大多数为L酸,有少量B酸.该载体粒子形状、大小比较规则、均一,粒径分布比较集中,是比较理想的纳米催化剂载体.

简介：硅泡沫是以硅橡胶混炼胶为基体材料、经硫化发泡后制得的一种多孔黏弹性高分子材料，具有许多其它材料所不能同时具备的优异性能，在军事武器装备上具有重要用途。硅泡沫作为功能部件，通常用于精密部件的定位、减振和防转，必须具有较低的压缩永久变形、高的压缩载荷保持率和长寿命等特性，而硅泡沫的这些特性都与其应力松弛有一定的关系，因此有必要研究硅泡沫压缩应力松弛的影响因素。

简介：采用氢氟酸和高氯酸的混合酸为溶剂，微波消解法处理高碳铬铁样品，电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES）测定溶液中的硅、磷和锰，利用仪器扣背景的功能消除高浓度基体的干扰。结果表明，样品不经基体匹配可以直接测定。方法的线性相关系数大于0．99994，能够同时测定三种金属元素，具有快速、高效、清洁、污染少等优点，完全能满足分析的要求。

简介：用盐酸、硝酸及氢氟酸溶解样品,采用基体匹配法配制标准溶液系列以消除基体效应的影响,选择Al394.401nm、Si251.611nm、Fe259.940nm、Co238.892nm、Ti337.280nm为分析线,使用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）法测定NiCrAlYSi合金中的铝、硅、铁、钴、钛。Al的质量分数在0.10%-15%、Si的质量分数在0.01%-6.0%、Fe、Co、Ti的质量分数在0.005%-0.50%时,各元素质量分数与对应的发射强度呈线性,线性相关系数不小于0.9995;方法中各元素检出限为0.0005%-0.0020%;结果的相对标准偏差为0.46%-3.7%;加标回收率为90.0%-104%。方法简单、快速,结果令人满意。

简介：研究了过氧化钠碱熔-电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）测定高碳高硅钢样品中的硅含量分析方法。样品经过氧化钠熔融和盐酸浸取后,以信号的稳定性为原则,优化了仪器最佳测定参数,选择了合适的分析谱线,实现了电感耦合等离子体发射光谱法对高碳高硅钢中硅含量的测定。通过实验探讨了钠离子、钢中基体元素铁等对硅含量测定干扰情况,测定结果的相对标准偏差不大于2%（n=6）。

简介：设计了一种转子采用五自由度静电悬浮的微机械陀螺。微陀螺基于玻璃-硅-玻璃键合的三明治结构、环形转子、体硅工艺、电容式位移检测方案;采用公共电极施加高频激励信号,基于隔离网络和频分复用的方法实现检测电极与加力电极的复用以简化陀螺结构;通过有源静电悬浮系统约束环形转子沿五自由度的运动,并提供足够的支承刚度;转子的转速控制基于三相可变电容式电机驱动方式,借助于检测转子与定子旋转电极的电容变化获得转子速度以实现转速闭环控制。目前已加工出基于深反应离子刻蚀工艺的微结构,采用基于DSP的数字控制器实现了环形转子的五自由度稳定悬浮。

简介：介绍了一种安装在旋转体上,用于旋转体姿态控制的新型微机械陀螺。陀螺利用旋转载体的滚转获得角动量,当载体发生偏航或俯仰,敏感质量块受到周期性哥氏力的作用,从而敏感载体的偏航或俯仰角速度。飞行试验中舵机的舵偏打容易使陀螺发生共振,陀螺输出信号无法满足旋转载体姿态控制的要求。针对这一问题,需精确测量陀螺的固有频率。首先基于陀螺运动方程分析了其幅频特性和固有频率,并利用数值计算软件进行了仿真,最后提出了一种对该陀螺幅频特性的测量方法,得到了幅频特性曲线,确定了固有频率70Hz。实际测量的幅频特性曲线和仿真曲线一致,测量的固有频率相对于舵偏打产生的共振频率点误差为2.1%,通过避开测得的70Hz固有频率,获得了符合姿态控制要求的陀螺输出信号。

简介：利用电子束蒸发技术在硅衬底上镀一层2.5μm厚的含氢非晶硅薄膜,用氩离子激光器的488nm谱线作激发光线,对a-Si-H薄膜进行辐照,使a-Si-H晶化。其拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明,经激光辐照后,在a-Si-H薄膜中形成纳米硅粒。

简介：为了改善闪烁探测器对某些恶劣环境的适应能力，有时需要用硅凝胶对闪烁探测器内部进行灌封。灌封后的探测器在环境适应性考核（如高／低气压、随机振动、离心以及加速度等）中取得了成功，但灌封后探测器的灵敏度普遍降低。

简介：采用酸消解,对内外墙涂料中的颜填料进行前处理,建立了电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）法测定内外墙涂料中钛、钙、锌、镁和硅的方法。探讨了在制样及测试过程中的影响因素、方法的检出限和方法的精密度,实验证明精密度（RSD,n=10）小于5%,方法准确度高,方法能满足内外墙涂料快速检测的要求。

简介：本文基于迈克尔逊干涉光路,采用硅光电池作为传感器,检测橡胶板的内部气泡尺寸.该方法在橡胶板上粘贴反射铝膜,采用抽真空或加热的方法,使橡胶板内部气泡发生膨胀,从而使干涉条纹随着表面形变发生移动.基于硅光电池对于光强变化的快速响应,示波器可采集干涉条纹的移动电压脉冲信号,从而计算出橡胶板表面微小形变尺寸.

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：为了降低闭环硅微加速度计的非线性,分析了其主要误差源并提出了相应的补偿方法。首先,分析了闭环状态下检测质量块偏离几何中心位置所造成的非线性问题,并确定了电路零位是主要误差源;其次,利用闭环反馈控制进行了非线性的优化分析;最后,提出了非线性补偿的工程调试方法。离心试验结果表明,采用该调试方法可将加速度计的非线性减小一个数量级以上。该结果验证了非线性误差分析和补偿方法的有效性,且适用于同批次加工的其它加速度计。

简介：针对一种新型交叉梁硅微加速度开关的设计技术进行了研究,首先推导了结构的静态刚度,确定了一种敏感芯片结构尺寸,在此基础上利用有限元方法仿真计算不同方向加速度作用下的结构变形情况.从结构特点和加工方法出发,分析了可能影响精度的几种加工误差,并给出了开关动作精度要求±5％时,梁厚的误差要求.其分析计算结果可指导该种类型加速度开关的设计和加工.