简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。
简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。
简介：运用超声应力波多结构的破损进行检测,其效率比较高,而且精确度高,是一种新型的检测技术。最近这几年,运用磁铁材料的伸缩性特点,支撑了一种能哦股将超声应力波接收的传感器,这种传感器能够进行磁致伸缩,而且其结构并不复杂,价格比较实惠,能够进行非接触型检测,因此,得到了广泛地应用。本文通过对磁铁材料的伸缩性特点进行分析,从而能够运用此贴性的板结构进行损伤的检测,确保传感器的实用性。
溅射温度对ZnO薄膜性能影响的研究
沉积温度对PECVD制备微晶硅薄膜性质的影响
基于磁致伸缩效应的超声应力波传感器设计与完善
