溅射温度对ZnO薄膜性能影响的研究

在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

• 作者: 文常保;马跃
• 出处: 《纳米科技》 2015年1期
• 关键词: ZNO薄膜 磁控溅射 X射线衍射
• 分类: [一般工业技术][材料科学与工程]