简介:以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3)为前驱体,采用化学气相沉积法(Chemicalvapordeposition,CVD),在原位生长有碳纳米管(Carbonnanotubes,CNTs)的C/C复合材料表面制备SiC涂层。用扫描电镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)观察和分析涂层微观形貌及成份。研究沉积温度(1000~1150℃)对SiC涂层的表面、截面以及SiC颗粒的微观形貌的影响。结果表明:在1000℃下反应时,得到晶须状SiC;沉积温度为1050℃时涂层平整、致密;沉积温度提高到1100℃时,涂层粗糙,致密度下降;1150℃下形成类似岛状组织,SiC颗粒团聚长大,涂层粗糙,并有很多裂纹和孔洞,致密度低。对涂层成份和断口形貌研究表明,基体和涂层之间有1个过渡区,SiC涂层和基体之间结合良好。
简介:摘 要:利用贵定县一般气象站1971-2020年50年的逐日气温资料,分析稳定大于等于10℃日数及积温的起始日期、终止日期变化、年变化、代际平均值变化,计算0℃以上每增加1℃范围内的积温和出现日数分布。结果显示:贵定国家一般气象站50年稳定大于等于10℃积温、出现日数变化均呈现上升趋势,50年积温均值为4701.178℃·d,年出现日数均值为239.42天;0℃以上每增加1℃范围内的积温呈现单峰型,与全省变化特征一致,最大为23~24℃含24℃,积温为29736.8℃·d;0℃以上每增加1℃出现日数呈现近单峰型,最大峰值和积温分布峰值相同。
简介:利用2005-2015年丹东市河口地区桃树盛花期物候观测资料和宽甸国家基准气候站的逐日平均气温观测资料,分析了丹东地区桃树盛花期与气温要素之间的关系,并采用活动积温、有效积温和滑动积温3种积温模型对丹东地区桃树盛花期进行预测.结果表明:基于国际通用的SW(SpringWarming)物候模型原理建立了活动积温、有效积温和滑动积温3种积温模型模拟丹东地区的桃树盛花期,采用0.1℃温度间隔普查和数学偏差方法确定每种积温模型最具代表性的界限温度及桃树花期前积温阈值,并检验评估3种积温模型的适用性.滑动积温模型对丹东市河口地区桃树盛花期的预测适用性最好,内部检验的准确率为90.91%;其次为活动积温模型(81.82%),有效积温模型的预测效果最差(63.64%).通过统计2005-2015年5d滑动积温稳定通过区间最高气温和最低气温的平均值作为判断桃树盛花期的生长指标,使滑动积温模型达到最佳预测效果.因此,丹东地区桃树盛花期预测采取滑动积温模型方法较适用.
简介:AdhesionimprovementofCVDdiamondfilimbyintroducinganelectro-depositedinterlayer;Agitation:themostversatiledegreeoffreedomforsurfacefinishers;Developmentofhydroxyapatitecoatingonporoustitaniumviaelectro-depositiontechnique;EffectofintensemagneticfieldonCdTeelectro-deposition;ElectrodepositionofMetallicLithiumonaTungstenElectrodein1-Butyl-l-methylpyrrolidiniumBis(tritluoromethanesulfone)imideRoom-temperatureMoltenSalt
简介:[篇名]Bi-2212:AnHTSCoatedConductor,[篇名]Carbonnanotube-perovskite-compositesasnewelectrodematerial,[篇名]CeO{sub}2bufferlayerbypulsedlaserdepositionforYBCOcoatedconductor,[篇名]CeO{sub)2BufferLayersDepositedbyPulsedLaserDepositionforTFA-MODYBa{sub}2Cu{sub}3O{sub)(7-x)SuperconductingTape,[篇名]Characteristicofthin-filmNTCthermalSensors,[篇名]Characteristicsofcobalt-dopedzincoxidethinfilmspreparedbypulsedlaserdeposition,[篇名]CharacteristicsofTiO{sub}2ThinFilmasaPhotocatalystPrepardUsing-thePulsedLaserDepositionMethod.
简介:Co-dopingDepositionofp-typeZnOThinFilmsusingKrFExcimerLaserAblation;ComparisonofGrowthMorphologyinGe(001)HomoepitaxyUsingPulsedLaserDepositionandMBE;CompositionandstructureofBCNfilmspreparedbyionbeam-assistedpulsedlaserdeposition;Compositionofβ-FeSi{sub}2thin-filmsgrownbyapulsedlaserdepositionmethod
简介:[篇名]Electro-depositionoftantalumontumgstenandnickelinLiF-NaF-CaF{sub}2meltcontainingK{sub}2TaF{sub}7electrochemicalstudy,[篇名]Electro-EpitaxialBufferLaycrsforREBCOTspeArchitectures,[篇名]EQCMwithair-gapexcitationelectrode.Calibrationtestswithcopperandoxygencoatings,[篇名]FormationofWell-definedNanocolumnsbyIonTrackingLithography,[篇名]Fundamentalexperimentalstudyonfreefabricationofnanocrystallinecopperbulkbyselectiveelectrodepositionwithelectrolytejet,[篇名]Magneticnanowirearraysobtainedbyelectro-depositioninorderedaluminatemplates,[篇名]Morphologicalcharacteristicsofnickelparticleselectrodepositedfromchloridedominantsolution.