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  • 简介:Cinea公司宣布赢得印度跨国运营商Reliance的1OOG相干通信光设备订单。Ciena的WaveLogic相干100G设备将帮助Reliance升级其FLAG欧亚海缆系统。基于Ciena的OPn架构,这条海缆的传输容量可以得到大大升级。

  • 标签: OG系统 海缆 印度 部署 相干通信 FLAG
  • 简介:赛灵思(Xilinx)宣布其Zynq-7000AllProgrammableSoC系列的峰值处理性能提升至1GHz,同时还将采用更小的封装尺寸以实现更高的系统性能和可编程系统集成度。上述增强功能可进一步提高众多高端影像与图形处理应用的系统价值,从而充分满足医疗以及有线与无线设备领域计算密集型系统的要求。

  • 标签: 可编程SOC 系统集成度 封装尺寸 图形处理 增强功能 无线设备
  • 简介:本文从ZCG-1A型调幅广播测试仪的整机功能图和使用说明书入手,对该仪器的组成及各组成部分的功能进行说明,再通过对错误测试过程的分析,让读者真正从原理上了解和掌握该仪器的使用方法。

  • 标签: 调幅广播 测试仪 A型 纠错 组成部分 使用说明书
  • 简介:近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术研究进展迅速,尤其是封装材料及封装设备更是日趋完善。材料性能和设备能力已不再是SOT23系列产品达到MSL1要求的主要/关键限制因素。文章主要研究影响SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程因素,寻求SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程控制解决方案。通过对工艺过程中关键工序加工方法、工艺流程及工艺条件的试验,最终确定了可以稳定通过MSL1的方案,其主要做法是:在粘片后采用分段烘烤,在压焊和塑封前加等离子清洗以及对工序间间隔时间进行控制。

  • 标签: MSL1 等离子清洗 SOT23 爆米花现象 粘片 烘烤
  • 简介:精力层次,波浪功能和秒顺序非线性的危险性被基于寓言、非寓言的乐队使用一个不对称的模型在GaAs/Al0.2Ga0.8As/Al0.5Ga0.5As不对称的量井(AQW)计算。当在更宽的井在狭窄的量井并且在更高的躺subband边分析现象时,non-parabolicity的影响不能被忽视。在两倍回声(医生)下面调节的数字结果表演,secondorder差别频率产生(DFG)和光校正(或)分别地,在AQW的产生危险性到达2.5019m/V和13.208m/V它比体积GaAs的那些大得多。而且,我们计算AQW的吸收系数并且发现二泵波长对应于最大的吸收,因此适当的泵横梁必须被选择产生兆兆赫(THz)由DFG的放射。

  • 标签: 非对称量子阱 THZ波 砷化铝镓 差频 计算结果 泵浦波长
  • 简介:有约束力的精力和浅施主杂质的空效果精力移动在拉紧的GaN/AlxGa1xN球形的有限潜力的量声明点(QD)基于有效集体近似用一个变化方法是计算的。有约束力的精力作为点尺寸和静水力学的压力的功能被计算。数字结果证明杂质州的有约束力的精力增加,达到最大的值,然后当QD半径为任何电场增加,减少。而且,有约束力的精力为点的任何尺寸与压力增加。为大点尺寸的杂质精力的空移动为小点尺寸比那大得多,并且它被电场的增加提高。我们有或没有紧张效果比较杂质状态的有约束力的精力,并且结果证明紧张效果更加提高杂质绑定精力,特别为小QD尺寸。我们也在我们的工作考虑绝缘的失配。

  • 标签: 施主杂质态 静水压力 结合能 量子点 电场 球形
  • 简介:首先对稀布阵雷达布阵特点和副瓣性能进行简单分析,指出干扰对消功能对系统工作的重要性,同时指出稀布阵雷达具有长相干积累工作的特点,系统需要结合多普勒滤波和干扰抑制技术完成干扰抑制和地杂波抑制处理。目前鲜有文章对在干扰抑制情况下系统处理流程引起的地杂波扩展问题进行分析(特别是针对稀布阵体制雷达)。结合稀布阵雷达工作特点对稀布阵常规信号处理流程产生的问题进行了分析,并提出了解决办法。最后结合实际数据对研究效果进行验证,取得良好的效果。这些工作将对稀布阵雷达的设计和实际应用具有一定的指导意义。

  • 标签: 稀布阵雷达 干扰对消 对角加载 地杂波
  • 简介:在雷达信号和通信信号一体化电子战系统中,需要处理的雷达信号和通信信号在时频域都是重叠的,存在很强的时频耦合,给信号检测带来很大的困难。讨论了作为干扰的强通信信号对宽带雷达脉冲信号非协作检测的影响,提出了一种基于分数阶Fourier变换的干扰抑制方法。该方法利用分数阶Fourier变换对不同信号的时域聚集特性,在分数阶Fourier变换域滤除干扰,提高了信号的信干比,改善系统对宽带脉冲的检测性能,该方法对存在多个通信干扰信号时仍然适用。仿真结果表明,该方法对提高系统检测宽带雷达脉冲信号的性能是有效的。

  • 标签: 干扰抑制 分数阶FOURIER变换 脉冲检测 一体化电子战系统
  • 简介:<正>罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。

  • 标签: 导通电阻 第一代产品 单位面积 SIC 罗姆 封装形式