简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.

简介：聚酰亚胺基板上的无粘结剂的铜将普遍应用于精细导线和高密度电子互连的领域.医疗、硬盘驱动和COF(chiponflex)应用上往往要求线宽/间距(L/S)为50μm(2mil)或更精细.

简介：ITU无线电通信全会，考虑到：a）无线电通信全会的任务和职能规定于组织法第13条和ITU公约第8条；

简介：Anultrahighvacuumchemicalvapordeposition(UHV/CVD)systemisintroduced.SiGealloysandSiGe/Simultiplequantumwells(MQWs)havebeengrownbycold-wallUHV/CVDusingdisilane(Si2H6)andgermane(GeH4)asthereactantgasesonSi(100)substrates.ThegrowthrateandGecontentsinSiGealloysarestudiedatdifferenttemperatureanddifferentgasflow.ThegrowthrateofSiGealloyisdecreasedwiththeincreaseofGeH4flowathightemperature.X-raydiffractionmeasurementshowsthatSiGe/SiMQWshavegoodcrystallinity,sharpinterfaceanduniformity.Nodislocationisfoundintheobservationoftransmissionelectronmicroscopy(TEM)ofSiGe/SiMQWs.TheaveragedeviationofthethicknessandthefractionofGeinsingleSiGealloysampleare3.31%and2.01%,respectively.

简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：日前，国家广电总局正式颁布了中国移动多媒体广播，即“手机电视”的行业标准，向“手机电视时代”迈出了关键性的一步。国家广电总局确定的手机标准为有自主知识产权的STiMi标准，并将于今年11月1日起正式实施。STiMi标准的胜出，意味着韩国T—DMB、美国MediaFlo、日本ISDB—T和欧洲DVB-H四大国际标准，将退出国内手机电视市场的竞争。此前，国外标准的支持厂商已经开始在国内“试水”手机电视，如以NOKIA为首的欧洲DVB—H阵营，曾陆续在北京、福建搭建实验网络；而以高通公司为首的FLO论坛，也吸引了包括夏新在内的三家中国合作伙伴。

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...

简介：AninitialstructuredesignofMMI1×8opticalpowersplittersisreported.ThewaveguidematerialisSi-basedSiO2Ge-dopedanddepositedbyPECVDmethod.Embeddedstripstructureisimpliedinthesectiondesign.ByusingBPM-CAD,afavorableresultisobtainedthatthisdevicehasasounduniformityandfairlylowloss.Meanwhile,simulationsofdesignswithcertainchangedparametersisalsoimplementedforabetterdesignconfiguration.

简介：Aconductionchannelmodelispropsedtoexplainthehighconductivitypropertyofnc-Si:H.Detailedenergybanddiagramisdevelopedbasedontheanalysisandcalculation,andtheconductivityofthenc-Si:Hwasthenanalysedonthebasisofenergybandtheory.Itisassumedthattheconductivityofthenc-Si:Hstemsfromtwoparts:theconductanceoftheinterface,wherethetransportmechanismisidentifiedasathermal-assistedtunnelingprocess,andtheconductancealongthechannelaroundthegrain,whichmainlydeterminedthehighconductivityofthenc-Si:H.Theconductivityofnc-Si:Hiscalculatedandcomparedwiththeexperimentdata.Thetheoryisinagreementwiththeexperiment.

简介：在大约431nm的蓝光在C+培植以后从取向附生的硅被获得，在顺序蚀刻的氢环境和化学药品退火。随化学蚀刻的增加，蓝山峰起初被一座红山峰最后提高，然后减少了并且代替。C=O混合物在C+培植期间被介绍并且在纳米Si的表面嵌入在退火期间形成了，并且最后被形成纳米硅与嵌入结构，它贡献蓝排放。介绍是光致发光的可能的机制。

简介：1立足渠道构建Radware与神州数码在2002年末建立了战略合作伙伴关系，在2003～2006年3年间，通过双方共同的努力，从2005年下半年开始，合作走上正轨。在多年的合作历程中，磨合和成长中积累的经验，成为他们共同的财富。也正是因为在合作中这样那样的困难和问题，使双方的信任度不断加深。

简介：从4月1日起，中国移动在北京、上海、天津、沈阳、广州、深圳、厦门和秦皇岛8个城市正式启动国产3G技术TD-SCDMA（国产3G）的社会化测试和试商用，试商用的号段为157号段，首批放号总计6万个。

简介：Theeffectofhydrogenpassivationonmulticrystallinesilicon(mc-Si)usedforsolarcellsisdescribed,andthemechanismofhydrogendiffusionandpassivationisalsoinvestigated.Then,thehydrogenpassivationprocessesappliedinindustriesandresearchlaboratoriesareintroduced.Finallytheexistingproblemsandtheprospectsofhydrogenpassivationarereviewed.

简介：根据麦克斯韦的理论，在GeSi/Si超点阵nanocrystalline层的光传播特征被分析了并且计算。计算结果证明当全部的厚度L是340nm时，单个模式lightwave能仅仅在周期的数字M15.5被播送。在传播的方向，当传播距离比500m大时，另外，lightwave紧张极大地被减少。基于GeSi/Si超点阵nanocrystalline光电探测器的上述参数，设计和制造被执行。

简介：概述了Si激光器的研究现状.介绍了Si激光器可能的激射机构,它们是多孔硅发光、Si中杂质发光、Si-Ge量子阱发光等.介绍了Si激光器近期的研究情况以及实用化所面临的技术问题.

简介：Fostex新推出的CR500是新一代拥有母板录音机和重放设备专业品质特征的CD录音机。用作母版录音机，CR500可以高达24b／96kHz的码流直接将BWF文件存储为UDF格式。CR500配备有PC工作站实现对文件格式的全兼容，并且数据转换只需要简单进行”粘贴”操作即可实现。CR500同样支持以标准的16b48kHz格式存储DAT。

简介：