简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

简介：电力电子集成代表着本世纪电力电子发展方向。而能否真正将集成的概念付诸实现，在很大程度上取决于组装制造时采用的工艺技术。本文详细的介绍了电力电子集成模块组装制造的主要工艺流程：基板制造→SMT工艺→超声波清洗→中间测试→封装→外观处理→最终测试。出厂；提出企业必须育环保意识地进行生产制造，从最简单的污染防治方法到为环境和环保效益技术设计基本理念，走可持续发展的绿色制造道路。

简介：塑封集成电路在高可靠性领域应用越来越广泛，国内已有相当数量的塑封集成电路应用于国防领域。但是，目前大部分关键塑封集成电路依赖进口，采购渠道不是很通畅，市场中存在大量的翻新件。文章基于塑封集成电路封装工艺，简要介绍如何识别翻新塑封集成电路。

简介：BCD工艺是一种先进的单片集成工艺技术,把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上。它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点,使其互相取长补短,发挥各自的优点。更为重要的是,它集成了DMOS功率器件,DMOS可以在开关模式下工作,功耗极低。不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。本篇文章对高性能LDMOS开发中的DoubleResurf技术进行了简要阐述。

简介：介绍厚膜混合集成电路的制造工艺,特点以及它在几种电子产品中的应用

简介：由于SOI（Silicon-On-Insulator）工艺采用氧化物进行全介质隔离，而氧化物是热的不良导体，因此SOIESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI（PDSOI）工艺的数字信号处理电路（DSP）的ESD设计理念和方法，并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析，找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化，并经流片及实验验证，较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。

简介：<正>与现行的陶瓷和层压模块等封装解决方案相比,专为高集成度RF模块而设计的CSP(chip—scalepackaging,芯片规模封装)封装工艺—Pyxis平台有望使封装的成本、高度和面积分别下降50%、60%和75%。由封装工艺开发商美国的Tessera公司推出的此项技术能够将RF模块与功率放大器、收发器、滤波器以及开关等周边电路结合起来。与传统的9mm×10mm大小的层压式封装相比,Pyxis技术将无源器件以及所需衬

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简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

简介：曼切斯特大学发明的一种S／W可编程CMOS芯片，能够对图像传感器的每个像素点进行集成处理，具有低功耗和低成本特性，应用领域包括机器人，汽车，自主车辆，机器视觉，图像识别，智能安防，人工视网膜等，是一个综合成像和高速数据处理在一个单一芯片上的设备，可实现内部处理＋低功耗设计。

简介：IP集成是制约SOC技术实现的解SOC系统结构和模块间的通信过程,然后介绍了两种基于SOC的IP集成方法,以及各种接口协议和集成方法在应用中的优缺点.

简介：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC）技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

简介：针对紧凑型信息系统存在系统资源消耗大、软件功能复用性弱、信息交互难度大、信息管理分散以及软件用户界面迥异等问题，基于插件的微内核框架集成实现原理，提出了基于插件的表现集成技术及相关模型。通过关键技术研究，解决了紧凑型信息系统中多应用以及多维信息的统一展现及信息共享问题。场景应用案例表明，该表现集成技术有效。

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简介：飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)凭借其卓越的电源技术优势推出三种全新“绿色”飞兆功率开关(FPS)产品，针对各式应用的100W至250瓦功率范围开关电源(SMPS)要求，包括彩电、DVD接收器、音频设备及等离子体平板显示器等。随着新型FSCQ系列的推出，飞兆半导体可提供满足1W～250瓦应用要求的完整绿色FPS产品系列。

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：CTI概述二十世纪在通讯领域有两项革命性的技术:电话和计算机。电话已经被广泛应用在公共场所、办公室和家庭等各种场合,计算机也以越来越快的步伐走进我们的生活。计算机电话集成(简称CTI-ComputerTelephonyIntegra-tion)技术把电话网络和计算机网络连接起来,充分利用无所不在的电话系统,使人们能够享用计算机系统提供的各种灵活便捷的服务,让人们迅速、方便地获取、交换信息,

简介：在日前举行的“2009IP重用国际研讨会”上，多位业内专家对我国集成电路产业的复苏表现出强烈信心。此前，在金融危机的；中击下，全球集成电路市场明显衰退，中国也出现了负增长局面。

简介：本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

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