简介：我们认识到NiCo2由激光照耀的O4nanomaterialsNiCo2有不同集中的O4暂停。结果表明同样准备的样品是有568nm和优异dispersity的最大的平均尺寸的需要的范围，它在0.30JDS的精力密度被获得)。Obwohl死ErkrankungenvieleGemeinsamkeitenaufweisen(Fiebersch浭湥慦獳湵?浉畭歮浯牰浯瑩楴牥湵?楢杲?浩敭?楥?牥???獥删獩歩????釧????????闧?郦????駥?釧?闦??駥?跧???闦?臧?臧????駥膹?郦?飧?蓦???釧?釧?蓦???跧?觧??跧?????觧?釧??闦??闦?觧?郧?闦???跧???釧????触?跧??趥觧?鷦？？

简介：Organicmultiplequantumwells(OMQWs)consistingofalternatinglayersoforganicmaterialshavebeenfabricatedfromtris(8-hdroxyquinoline)aluminum(Alq)and2-(4-biphenylyl)-5-(4-tertbutylphenyl)-1,3,3-oxadiazole(PBD)byamultisource-typehigh-vacuumorganicmoleculardeposition.Fromthesmall-angleX-raydiffractionpatternsofAlq/PBDOMQWs,aperiodicallylayeredstructureisconfirmedthroughtheentirestack.TheAlqlayerthicknessintheOMQWswasvariedfrom1nmto4nm.Fromtheopticalaborption,photoluminescenceandelectroluminescencemeasurements,itisfoundthattheexcitonenergyshiftstohigherenergywithdecreasingAlqlayerthickness,ThechangesoftheexcitonenergycouldbeinterpretedastheconfinementeffectsofexcitonintheAlqthinlayers.Narrowingoftheemissionspectrumhasalsobeenobservedfortheelectroluminescentdevices(ELDs)withtheOMQWsstructureatroomtemperature.

简介：在2016年G20杭州峰会中，索贝融合媒体导播系统V—Studio承担了旧C中央电视台新闻报道中心公共信号和前方记者现场报道信号的融合切换、在线包装、调音、录制、流媒体发布等工作，并通过该系统向CCTVNewsLive客户端同步进行流媒体直播报道．让海内外观众能够近距离、全方位、多角度获取G20杭州峰会相关信息。索贝的融媒体实力再一次经受住了实践的考验!

简介：Aneworganicsemiconductortartaricaciddopedsaltofemeraldinepolyaniline(PANI-C4H6O6)hasbeenobtainedbythemethodofoxidativepolymerizationofmonomericanilinewithammoniumpersulfateinacidicsolution.ThestructurewascharacterizedbyFourierTransformInfraredtechnique(FTIR)andX-raydiffraction(XRD).Thetemperaturedependencedcconductivityδdc(T)showsasemiconductorbehaviorandfollowsthequasionedimensionalvariablerangehopping(Q1D-VRH)model.Dataonδdc(T)arealsodiscussed.

简介：WereportthedepositionofNb2O5filmsonunheatedBK-7glasssubstratesusingremoteplasmasputteringsystem.Theremoteplasmageometryallowspseudoseparationofplasmaandtargetbiasparameters,whichofferscompletedepositionratecontrol.Usingappropriateoxygenflowrates,high-densityandlow-lossNb2O5filmsaredepositedwithratesupto0.49nm/s.Lowerdepositionrates(~0.026nm/s)canalsobeobtainedbyworkingatlowtargetcurrentandvoltageandatlowpressure.Nb2O5filmsdepositedatdifferentrateshavetherefractiveindexofabout2.3andtheextinctioncoefficientaslowas6.9×10-5.

简介：Thenear-ultraviolet(n-UV)excitedblue-emittingSr2MgSi2O7:Eu2+phosphorsareusedforfluorescencelampandtricolorwhiteLEDs.Theeffectofnitrogen-dopedonthestructureofthehostandtheenhancementofphotoluminescenceisexperimentallyinvestigated.Theresultsshowthatastheamountofnitrogen-dopedvariesfrom0to0.6(at.),theluminousintensityisfoundtobeincreasedto169%,andthepartialreplacementofObyNresultsinachangeofthecrystalfieldbymodifyingthesymmetryofthecrystalstructure.Asaresult,withthenitrogen-dopedinsmallamount,theluminousintensity,chromaticitycoordinatesandthecolorpuritycanbeadjustedtoadesiredvalueintheapplications.

简介：Cu2ZnSnS4(CZTS)粉末被使用ZnS和Cu2没有任何中介，原料直接在450愠?浥瑰?瑳浯d分阶段执行的SnS3

简介：

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.

简介：UnipolarresistiveswitchingbehaviorsoftheZnOandAl2O3/ZnOfilmsfabricatedonflexiblesubstratesbypulselaserdepositionwerestudiedinthispaper.Thefilmsweredepositedatroomtemperaturewithoutpost-annealingtreatmentduringtheprocess.XraydiffractionresultsindicatedthatZnOfilmhasadominantpeakat(002).ScanningelectronmicroscopyobservationshowedacolumnargrainstructureoftheZnOfilmtothesubstrate.ThebilayerdeviceofAl2O3/ZnOfilmshadstableresistiveswitchingbehaviorswithagoodenduranceperformanceofmorethan200cycles,highresistiveswitchingratioofover103atareadvoltageof0.1V,whichisbetterthanthatofthesingleoxidelayerdeviceofZnOfilm.Apossibleresistiveswitchingfilamentarymodewasdemonstratedinthispaper.TheconductionmechanismsofhighandlowresistancestatescanbeexplainedbyspacechargelimitedconductionandOhmic’sbehaviors.Theenduranceofthebilayer(BL)devicewasnotdegradeduponbendingcycles,whichindicatesthepotentialoftheflexibleresistiveswitchingrandomaccessmemoryapplications.

简介：镓氮化物的大数量(轧)nanowires经由Ga2O3电影在一个石英试管在950点在氧化的铝层上扔了的ammoniating被准备了。当水晶的wurtzite由X光检查衍射，X光检查光电子spectrometry扫描电子显微镜和精选区域的电子衍射轧了，nanowires被证实了。传播电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜学(SEM)表明nanowires非结晶、不规则，与从30nm到直到十微米的80nm和长度的直径。精选区域的电子衍射显示有六角形的wurtzite结构的nanowire是单身者水晶。生长机制简短被讨论。

简介：文章主要介绍了4GL2TPVPDN技术和实现方案。对LTE和eHRPD两种网络模式下L2TPVPDN接入流程、业务配置进行了详细说明,对部署方案进行了探讨。最后结合某省实际部署情况对发现存在的一些问题进行了探讨和研究,并提出了相应的解决办法。

简介：srzn2（PO4）2：在大气中的高温固相反应合成Sm3＋荧光粉。srzn2（PO4）2：Sm3＋荧光粉是通过紫外光有效激发（UV）和蓝色光，和发射峰被分配到2-6h54G5//2过渡（563nm），2-6h74G5//2（597nm和605nm）和2-6h94G5//2（644nm和653nm）。对srzn2发射强度（PO4）2：Sm3＋的Sm3＋浓度的影响，其浓度猝灭效应srzn2（PO4）2：钐也观察到。当掺杂离子（=Li，Na和K）离子的发光强度，srzn2（PO4）2：Sm3＋可以明显增强。在国际照明委员会（CIE）的srzn2色坐标（PO4）2：Sm3＋定位在橙红色的区域。结果表明，该荧光粉具有潜在的应用在白光发光二极管（LED）。

简介：La1.4Sr（1.6-x）CaxMn2O7（x=0,0.2,0.4,0.8,1.0,1.4,1.6）系列的多晶样品是使用固相反应的方法得到的,它是一种具有两层钙钛矿结构的锰氧化物,通过XRD分析,当0≤x≤0.8时,样品架构是Sr3Ti2O7四方型,空间群是I4/mmm,成为两层钙钛矿的架构;当1.0≤x≤1.6时,样品架构是ABO3正交型,空间群是Pbnm,成为立方架构CaO与ABO3型钙钛矿架构混合物。

简介：21世纪，大批“80、90后“新生代员工不可逆转地涌入，构成企业发展的主力军。新生代员工具有独特的行为方式和精神状态，迫使PCB企业在管理上也亟需做出新转变。

简介：树脂含量是指单位重量的浸胶料(俗称粘结片)中所含固体树脂重量的百分数.粘结片中树脂含量的大小及树脂含量一致性控制对覆铜板产品质量的影响很大.

简介：1立足渠道构建Radware与神州数码在2002年末建立了战略合作伙伴关系，在2003～2006年3年间，通过双方共同的努力，从2005年下半年开始，合作走上正轨。在多年的合作历程中，磨合和成长中积累的经验，成为他们共同的财富。也正是因为在合作中这样那样的困难和问题，使双方的信任度不断加深。

简介：文章研究了4GVPN业务L2TP鉴权认证的实现。友商VPN由用户路由器分配账号密码及IP地址,4GVPN业务无账号密码,APN和IMSI绑定,IP地址由运营商分配,用户希望能设置账号密码并分配自有IP地址,并实现友商和我司VPN并存。

简介：本文针对CRH2型动车组，分析了三电平四象限变流器的工作机理，并研究了其电流控制及中点电位平衡控制策略。基于双边傅立叶变换方法，给出了功率和网压已知时，四象限变流器二重化运行时的电流基波及谐波表达式，分析了谐波电流的分布规律，并且讨论了中点电位不平衡时对交流电流谐波的影响。采用Matlab／Simulink软件编制了CRH2型动车组的谐波电流仿真程序，研究比较了不同牵引、制动功率及牵引网网压条件下动车组注入牵引网的谐波电流。

简介：Anultrahighvacuumchemicalvapordeposition(UHV/CVD)systemisintroduced.SiGealloysandSiGe/Simultiplequantumwells(MQWs)havebeengrownbycold-wallUHV/CVDusingdisilane(Si2H6)andgermane(GeH4)asthereactantgasesonSi(100)substrates.ThegrowthrateandGecontentsinSiGealloysarestudiedatdifferenttemperatureanddifferentgasflow.ThegrowthrateofSiGealloyisdecreasedwiththeincreaseofGeH4flowathightemperature.X-raydiffractionmeasurementshowsthatSiGe/SiMQWshavegoodcrystallinity,sharpinterfaceanduniformity.Nodislocationisfoundintheobservationoftransmissionelectronmicroscopy(TEM)ofSiGe/SiMQWs.TheaveragedeviationofthethicknessandthefractionofGeinsingleSiGealloysampleare3.31%and2.01%,respectively.