简介:采用HSiCl3—NH3—N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222kJ/mol。随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。
简介:近100余年来,南汇潮滩尤其是中、高潮滩,以淤涨为主,使岸线迅速向海推进。但潮滩沉积并非连续,而是以冲、淤相间,长期净淤积的方式进行。潮滩沉积剖面主要由风暴成因的小型层序组成,粗、细粒交替分别代表风暴与平静天气的产物。潮滩沉积环境的不稳定性使其难以满足两种常用来计算210Pb沉积速率的方法——CIC(稳定的初始比度)模型和CRS(稳定的沉降通量)模型的前提条件。在实验时,如果只选择代表平静天气沉积的细颗粒层进行210Pb活度分析,则可能得到一组相对符合CIC模型的数据,利用此方法计算出南汇潮间带环境的平均沉积速率为6.11~6.23,cm/yr。对历史海图数字化建立的数字高程模型(DEM)分析表明,中、高潮滩近50余年的平均沉积速率为1.91~2.05,cm/yr,不及210Pb沉积速率的一半。造成这种差异的原因有:(1)DEM法在高程推算过程中使用简单的潮滩纵剖面模型,导致计算的沉积速率偏低;(2)210Pb法受到沉积过程中强烈的物理混合作用和沉积后的生物扰动、化学迁移作用等影响,使计算的沉积速率偏高。推断近50余年来,南汇中、高潮滩的沉积速率为4~5,cm/yr。
简介:大鳌沙处于珠江三角洲西江河口的近口段,洪季西江河口的潮区界西线在其顶端附近。冰后期海侵以来,大鳌沙顶端的PRD05和中部的PRD04两个钻孔的沉积速率和沉积物粒度有着极大的差别。7630aBP以前,PRD04孔的沉积速率小于PRD05孔的沉积速率;但7630aBP以来,PRD04孔的沉积速率大于PRD05孔的沉积速率。从粒度分析看,埋深12.28m以下,PRD04孔沉积物比PRD05孔的粗,分选性比PRD05孔的差;埋深12.28m以上,PRD04孔的沉积物比PRD05孔的细,分选性相对比PRD05孔的好。分析表明,9000~4200aBP,沉积物由南(中部)向北(顶部)输运,涨潮流冲蚀老沉积物,在喷出磨刀门通道后,流速迅速降低,粗颗粒泥沙先沉积,而细颗粒泥沙被涨潮流搬运至更北的区域沉积。近3500年以来,河流动力占优势,沉积物由北(顶部)向南(中部)输运。大鳌沙的形成与涨潮射流密切相关。涨潮射流口的位置在蛇地山和右岸纵向山地之间,宽约2200m。
简介:AdhesionimprovementofCVDdiamondfilimbyintroducinganelectro-depositedinterlayer;Agitation:themostversatiledegreeoffreedomforsurfacefinishers;Developmentofhydroxyapatitecoatingonporoustitaniumviaelectro-depositiontechnique;EffectofintensemagneticfieldonCdTeelectro-deposition;ElectrodepositionofMetallicLithiumonaTungstenElectrodein1-Butyl-l-methylpyrrolidiniumBis(tritluoromethanesulfone)imideRoom-temperatureMoltenSalt
简介:[篇名]Bi-2212:AnHTSCoatedConductor,[篇名]Carbonnanotube-perovskite-compositesasnewelectrodematerial,[篇名]CeO{sub}2bufferlayerbypulsedlaserdepositionforYBCOcoatedconductor,[篇名]CeO{sub)2BufferLayersDepositedbyPulsedLaserDepositionforTFA-MODYBa{sub}2Cu{sub}3O{sub)(7-x)SuperconductingTape,[篇名]Characteristicofthin-filmNTCthermalSensors,[篇名]Characteristicsofcobalt-dopedzincoxidethinfilmspreparedbypulsedlaserdeposition,[篇名]CharacteristicsofTiO{sub}2ThinFilmasaPhotocatalystPrepardUsing-thePulsedLaserDepositionMethod.
简介:Co-dopingDepositionofp-typeZnOThinFilmsusingKrFExcimerLaserAblation;ComparisonofGrowthMorphologyinGe(001)HomoepitaxyUsingPulsedLaserDepositionandMBE;CompositionandstructureofBCNfilmspreparedbyionbeam-assistedpulsedlaserdeposition;Compositionofβ-FeSi{sub}2thin-filmsgrownbyapulsedlaserdepositionmethod
简介:[篇名]Electro-depositionoftantalumontumgstenandnickelinLiF-NaF-CaF{sub}2meltcontainingK{sub}2TaF{sub}7electrochemicalstudy,[篇名]Electro-EpitaxialBufferLaycrsforREBCOTspeArchitectures,[篇名]EQCMwithair-gapexcitationelectrode.Calibrationtestswithcopperandoxygencoatings,[篇名]FormationofWell-definedNanocolumnsbyIonTrackingLithography,[篇名]Fundamentalexperimentalstudyonfreefabricationofnanocrystallinecopperbulkbyselectiveelectrodepositionwithelectrolytejet,[篇名]Magneticnanowirearraysobtainedbyelectro-depositioninorderedaluminatemplates,[篇名]Morphologicalcharacteristicsofnickelparticleselectrodepositedfromchloridedominantsolution.