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  • 简介:随着化工企业规模的逐步扩大,化工设备的管理内容也日趋复杂。能否采用科学、高效的方法化工设备进行管理是当前化工企业的重要研究课题。本文首先分阐述了化工设备管理的重要性,结合化工企业发展实际,分析了化工设备管理的具体方法,并指出了完善化工设备管理的对策。旨在实现化工设备的规划化、科学化管理,确保设备安全运行,促进企业发展。

  • 标签: 化工设备 管理方法 安全 效益
  • 简介:随着陶瓷球栅阵列(CBGA)封装形式产品被广泛应用,对其植球工艺质量的可靠性和一致性要求也越来越严格,焊球的位置度是检验CBGA产品质量的重要参数之一,其直接影响该产品表面贴装的质量和可靠性。以CBGA256产品为例,针对CBGA产品在批生产过程中出现的局部助焊剂聚集而引起焊球位置偏移的问题,通过对陶瓷外壳质量、焊膏印刷工艺和回流焊工艺的研究,优化CBGA产品的植球工艺,解决局部焊球位置度较差的问题,进而提高产品的一致性和可靠性,提升CBGA植球工艺的成熟度。

  • 标签: 陶瓷球栅阵列 位置度 一致性 工艺成熟度
  • 简介:高清数字电视的HD-DVR机顶盒已经成为了全球发展的趋势,MIPS_RAC终端测试作为其中缓存的反应速度的主要芯片参数,其工艺窗口直接关系到机顶盒成品率的高低和稳定。文章研究了MIPS_RAC终端测试与器件速度之间的关系,并定义了MIPS_RAC在0.13μm的通用逻辑工艺平台上的工艺安全范围。

  • 标签: 机顶盒 MIPS_RAC 器件
  • 简介:WCDMA网络是目前在用的主流网络,WCDMA的网络优化对用户和运营商有重要作用。RF优化是WCDMA网络优化的主要部分之一。RF优化主要结合路测数据进行。因此,本文通过对RF优化流程及路测数据分析方法的分析,提出路测的主要的KPI指标,并对弱覆盖、导频污染、邻区漏配和切换问题等常见的网络优化问题进行分析。

  • 标签: WCDMA RF优化 路测数据
  • 简介:在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N+S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。

  • 标签: 硅化钛 多晶栅 掩蔽层
  • 简介:碳密封涂覆光纤具有良好的耐疲劳性能,以及抗氯损性能,在军事及通信领域内有着重要的应用前景。本文简单介绍了碳密封涂覆光纤的研究进展,以及其应用前景,并主要分析了碳密封涂覆光纤的工艺影响因素。

  • 标签: 耐疲劳光纤 碳密封涂覆 CVD 工艺
  • 简介:LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。

  • 标签: 低温共烧陶瓷 金属化通孔 收缩率
  • 简介:采用DOE(实验设计)方法,通过比较铝线拉力的数值、标准方差及PpK,得到最适合铝线键合工艺的等离子清洗功率、时间和气流速度参数的组合。同时分析了引线框架在料盒中的摆放位置对等离子清洗效果的影响,引线框架置于等离子气体浓度高的位置清洗效果较好,引线拉力值能获得更低的方差和更优的过程控制能力。

  • 标签: 等离子清洗 铝线 DOE
  • 简介:伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

  • 标签: 闩锁 寄生BJT PNPN结构
  • 简介:文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

  • 标签: 铁氧体 微带隔离器 薄膜电路 磁控溅射
  • 简介:随着3G牌照的发放,移动运营商重组,移动市场竞争越来越激烈。进一步提高服务水平和网络质量,成了移动通信大战中争抢的重中之重。网络质量优化,对监测维护系统提出了更高的要求。不仅要求监测系统能提供更多KPI指标信息,也要求系统能指导网优优化。在网络质量优化中,彩信下载速率是衡量网络质量非常重要的KPI指标之一。

  • 标签: 彩信 下载速率
  • 简介:大功率LED在户外夜景灯光照明中,已成为照明产品的主流。COB光源生产成本相对较低,散热功能明显,并且具有高封装密度和高出光密度的特性。本文对基于COB封装的贴片式LED元件进行工艺研究,提出改良方案。

  • 标签: COB封装 贴片式LED 工艺
  • 简介:微电子封装过程中产生的沾污严重影响了电子元器件的可靠性和使用寿命。文中研究了用微波等离子清洗封装过程中产生的沾污。研究结果表明,微波等离子清洗能有效增强基板的浸润性,降低芯片和基板共晶焊界面的孔隙率,同时也能清除元件表面的氧化物薄膜和有机物沾污,经过等离子清洗,其键合焊接强度和合金熔封密封性都得到提高。

  • 标签: 微电子封装 微波等离子清洗 可靠性
  • 简介:近年来,GSM移动通信网络发展迅速,用户对网络系统的服务质量要求也越来越高,优化GSM无线网络服务质量工作必须提上日程。本文通过介绍GSM系统结构,分析网络现存在的问题,对GSM无线网络优化方法进行探讨,以达到提高网络服务质量的目的。

  • 标签: GSM无线网络 问题 优化方法
  • 简介:针对现有企业信息系统的信息孤岛问题,为了实现模板引擎在门户(Portal)中的无缝集成,提出一种基于Portlet桥接的集成方法,并给出简单的编程接口和配置方式.该桥接方法可降低集成的复杂性,同时可加强Portlet视图层的抽象化,即通过配置文件完成视图层的切换.工程应用表明该桥接方法的可用性.

  • 标签: 门户 Portlet应用 桥接 模板
  • 简介:<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

  • 标签: 制造工艺 ARM NM 工艺节点 第四季度
  • 简介:供电可靠性是考核供电系统电能质量的重要指标,在经济社会高速发展的今天,对供电可靠性提出了更高的要求,也是供电企业服务社会,承担社会责任的重要体现。主网停送电直接或间接影响配网供电,倒闸操作是变电运行管理的核心业务,优化停送电倒闸操作时间对提高供电可靠性意义重大。

  • 标签: 优化 可靠性 倒闸操作 机制
  • 简介:一、网络现状移动基站的通信依托传输网实现,传输网络运行质量影响着基站运行质量,进而影响到用户的使用。联通在建设拉远基站时,常常遇到光纤资源不足的问题,特别是主干96芯光缆承载各种业务压力较大,造成拉远基站建设困难。因此如何解决目前主干光纤资源紧缺的问题,成为目前运营商基站建设面临的问题。

  • 标签: 移动基站 优化解 光网络 运行质量 传输网络 基站建设
  • 简介:文章针对中国电信CDMA2000lxEV—DO网络的室内优化程,探讨了多种数据分析及故障定位方法,并提出了基于不同场景的室内室外站点协同优化的解决方案,达到了增强室内覆盖深度及关键指标性能,提升用户感知度的目的。

  • 标签: CDMA20001xEV—DO 网络优化 室内优化 CQT
  • 简介:提出了一种基于空中目标运动模型的纯方位定位方法,并使用多种模拟场景对该方法及传统目标定位方法进行了验证与比较。验证结果表明,该方法对于探测站稀疏和探测数据上报时序不一致情况具有较好的工程适用性。

  • 标签: 无源定位 纯方位定位 光电探测