首页 > 《半导体信息》 > 2014年5期 > 台积电和ARM将联手研发10nm制造工艺

台积电和ARM将联手研发10nm制造工艺

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要 <正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

DOI 6jr28knw45/1572615

作者郑畅

机构地区不详

出处《半导体信息》 2014年5期

关键词制造工艺 ARM NM 工艺节点第四季度

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2014年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1章从福. 台积电将向14 nm以下工艺挺进.物理电子学,2010-04.
2. ARM未来芯片路线图泄露包含10nm处理核心.计算机科学与技术,2015-12.
3. 台积电和ARM合作降低65纳米测试芯片的功耗.计算机系统结构,2006-09.
4章从福. 吉时利联手研发65nm以下先进工艺特征分析技术.物理电子学,2008-05.
5郑冬冬. IBM引领全球小于10nm碳纳米晶体管诞生.物理电子学,2012-01.
6雷洁红;邢丕峰;唐永建;吴卫东. 波长小于10nm的软X射线多层膜制备技术.材料科学与工程,2009-01.
7. 全球首个不到10nm的碳纳米晶体管问世.微电子学与固体电子学,2012-01.
8赵佶. 半导体材料掀革命10nm制程改用锗/Ⅲ-V元素.物理电子学,2013-02.
9章从福. CUNO发布最新过滤器能去除小至10nm的污染物.物理电子学,2007-04.
10. Cadence联合台积电推出90nmRF工艺设计工具.微电子学与固体电子学,2007-01.

来源期刊

半导体信息

半导体信息

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

制造工艺 ARM NM 工艺节点第四季度

返回顶部