简介：

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简介：随着改革开放的不断深入和发展，近几年我国文化艺术领域得到前所未有的迅速发展，文艺演出的表演形式、表演内容越来越丰富；各种规模的艺术中心、歌舞剧院在全国各地兴建；各省、市、自治区电视台在改造老型演播室的同时．纷纷计划筹建大型多功能演播厅，以满足人民群众在精神生活上日益增长的需求。

简介：<正>2003年1月8日,我国年产1000吨多晶硅国家高新技术产业化示范工程,在四川省乐山市高新技术开发区开工建设。该项目是国家计委批准,由四川省新光硅业科技有限公司建设的国内唯一一条年产1000吨多晶硅的生产线,是西部大开发中目前国家投资最大的高科技项目,该项目总投

简介：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法，以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。

简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

简介：介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。

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简介：<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

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简介：利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。

简介：思略科技公司(CelestryTMDesignTechnologies,Inc.)是支持集成电路(IC)设计者和片上系统(SoC)设计者从半导体生产工艺中获得更高执行效率的、具有领先解决方案的提供者。这些方案可以帮助用户缩短纳米级工艺潜在的执行效率与用户设计的集成电路和片上系统执行

简介：<正>据中国电子材料网引用PCBA报导,在2005年11月9日于东京举行的"第16届微机械展"上,富士电机系统公司展出了使用硅的印刷电路板"IMM"(In-telligentMicroModule)。IMM使用硅工艺技术生产。可实现最多3层的多层布线,同时还可以嵌入电容器和电阻。布线宽度为5μm-50μm。因为IMM与LSI共用硅底板,线膨胀系数相同,所以基本上不会出现因温度等因素变化而引起的LSI从IMM上剥落的问题。IMM主要面向医疗、计量及网络设备等领域。在IMM上封闭有裸片或采用BGA封装的LSI以及被动元件。富士电机系统在MEMS压力传感器和放射线传感器等的生产线上生产IMM,可将这些传

简介：概述了基于新概念的环氧-硅复合树脂的开发，并证实了传统FR-5基材的制造工艺可以适用于环氧-硅复合树脂的覆铜箔板制造。

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简介：我们祝贺第四届中国电力电子论坛暨2004电力半导体器件及其应用装置失效分析研讨会的召开!

简介：2006年9月18日，来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（HybridSiliconLaser）。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。