简介：11月16日,位于北京海淀区北清路中关村壹号南区的中关村集成电路设计园正式开园,标志着北京市“北(海淀)设计,南(亦庄)制造”的集成电路产业布局已经形成。相关负责人介绍,预计到2020年,园区将聚集以集成电路设计为核心的上下游企业150家,年产值突破300亿元,实现税收近50亿元。

简介：一、主要应用领域本设备为一种实时在线印刷电路板孔径孔数检测机（简称：PCB检孔机），用于印刷电路板的生产过程中，高密度小孔径印刷电路板孔径孔数的产品质量检测。通常这些高密度小孔径印刷电路板孔径孔数的检测人工已经无法胜任。

简介：隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点，在磁随机存取存储器（MRAM）、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎，有着广阔的应用前景。重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理，阐述了最近几年国内外最新研究进展，最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题。

简介：光学计算机被科学家视为下世代新型计算机。台湾新竹清华大学材料工程学系教授周立人的研究团队，利用氧化镓和纳米金粒子，成功研发出光集成电路新型材料，将绿光照射产生的电流，转换成0与1数字讯号，极有潜力发展成为下世代光学计算机的基本建构单元（运算组件）。

简介：日前获悉，国家鼓励软件及集成电路产业发展的18号文的替代政策《集成电路产业研究与开发专项资金管理暂行办法》（下称132号文）的实施细则和今年项目指南已进入财政部、信息产业部和发改委三部委会签阶段。相关人士向记者透露说，如果顺利通过三部委会签，该实施细则和今年的项目指南将于8月份正式出台。

简介：近日，美国芝加哥大学研究人员在著名学术期刊《自然》上报道了一种创新性方法，有望制备出仅有几个原子层厚度的半导体器件，为科学家和工程人员提供了一个制作超薄、均一半导体薄膜材料的简便、低成本方法，可应用在太阳能电池和智能电话的电子器件中。

简介：中环股份、晶盛机电发布公告，两公司与江苏无锡市政府签署《战略合作协议》，共同在宜兴市建设集成电路用大硅片生产与制造项目，以促进无锡市集成电路产业链的发展优化。

简介：基于密度泛函理论的第一性原理，结合广义梯度近似，对Mg、Al不同浓度掺杂的ZnO进行能带结构、电子态密度以及光学性质的研究，结果表明，由于Mg原子电子分布和Zn原子的差异，Zn-4s向高能端偏移，而价带基本保持不变，使得禁带宽度增大。由于Al的价电子比Zn多一个，掺杂Al使ZnO成为n型掺杂半导体，导致Zn0的导电性增大。从对二者的光学性质的分析可以看出，掺杂Mg后并没使ZnO的吸收谱的吸收边发生明显的移动，而掺杂Al使ZnO的吸收边向短波方向移动，发生了蓝移现象。

简介：合成出了西布曲明晶体，并确定了晶体为斜方晶系，空间群为Pbcn，晶体结构测定结果表明，西布曲明晶体具有手性反式结构。运用晶体化学和纳米科技的基本原理对西布曲明的纳米化药理进行了分析，通过对该配合物不同纳米尺度微粒的晶胞数、原子数、表面原子数及其比例的计算，分析讨论了微粒纳米尺度变化与化学活性的相关关系，为西布曲明药用原理提供了分析基础。

简介：最新的研究成果-光子交叉相关光谱原理(PCCS-PhotonCrossCorrelationSpectroscopy)，完全避免了光子相关光谱原理(PCS-PhotonCorrelationSpectroscopy)的纳米粒度仪原理上的缺陷，可以直接测量高浓度样品而不需稀释，测量结果完全真实的反应了被测试样品的实际粒度分布状态。文中详细介绍了PCCS的测试原理和应用，采用该原理的仪器，由德国新帕泰克公司制造并向全球推广，型号为NANOPHOX。

简介：美国国家标准与技术研究院的研究人员展示了他们最新研制的一款固态量子冰箱，这款制冷机利用了微型和纳米结构的量子物理学原理，可将一个比自身体积大得多的物体冷却到极其低的温度。项目负责人乔尔·乌洛姆说：“我们利用纳米结构的量子力学来冷却铜块，而铜几乎是这种制冷元件重量的100万倍。这是纳米或微电机装置可用来操纵宏观世界的一个罕见例子。”

简介：中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室借助中科大国家同步辐射实验室二次X射线光刻工艺，近日成功研制出国内首个256位分子存储器电路。

简介：中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米技术代集成电路关键技术研发上取得突破性进展。掌握这种最先进的集成电路制造工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。采用22纳米集成电路技术可以在一根头发丝的横截面上集成大约1000万个晶体管，从而使集成电路产品的功能更多样化，

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。