简介:摘要目的分析铕、铽依诺沙星配合物光谱特性。方法值得铕、铽盐酸化合物,称取适量,与草酸钠、依诺沙星在反应釜中,在试剂中加热反应,冷却,过滤,挥发2个月,得到晶体,进行红外光谱、紫外吸收光谱、激发光谱和发射光谱测定。结果均属于晶体系;铕配合物,在ct-NDA作用下,随着DNA加入,配合物吸收峰发生减色效应,铽配合物KBr压片法进行紫外线吸光光度分析红外光谱图与依诺沙星盐酸相似;荧光光谱测定,两种配合物激发光谱形状基本一致;荧光分析显示,铕配合物出现Eu3+特征荧光峰,铽配合物放射光谱与铕完全不同,配合体与配合物相同。结论铕、铽依诺沙星配合物光谱特性既存在共同点又存在异同点,今后需进行抗菌效果研究,并与光谱特性进行相关性分析,探讨配合体晶体结构与抗菌效果相关性。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。