简介:目的评价810nm半导体激光与他克莫司软膏治疗糜烂型口腔扁平苔藓(orallichenplanus,OLP)的疗效。方法选择2016年1—12月中国医科大学口腔医学院急诊·黏膜病科收治患者中符合糜烂型OLP诊断标准的患者60例,随机分为试验纽与对照组,每组30例。试验组应用波长为810nm的半导体激光进行局部照射治疗,对照组应用他克莫司软膏进行局部涂擦治疗,两组患者分别治疗2个月,并在第3及第6个月进行随访。根据中华口腔医学会口腔黏膜病专业委员会的“OLP(萎缩型、糜烂型)疗效评价标准(试行)”进行疗效评价。结果治疗结束后两组患者病损面积、症状和体征得分均减小,总有效率差异无统计学意义(P〉0.05);第3和第6个月随访时,激光治疗组的复发率低于他克莫司组,两组比较差异有统计学意义(P〈0.05);他克莫司组9例患者出现不良反应,激光治疗组未发现有不良反应患者。结论半导体激光与他克莫司治疗糜烂型OLP即刻疗效无差异;与他克莫司相比,半导体激光治疗能更长时间地控制OLP,抑制复发,具有较好的疗效,且无不良反应,值得临床推广使用。
简介:登士柏Cavitron金刚砂超声波洁牙头可提高根分歧部位的除石效率。将60颗拔除的下颌磨牙的根分歧部位涂上人工牙石,然后随机选择锐利的Gracey通用刮治器(HAND)、普通Cavitron超声波TFI-10洁牙头(CAV)、CavitronTFI-10细质金刚砂超声波洁牙头(FIN)和TFI-10中等质地金刚砂超声波洁牙头(MED)分别对根分歧部位的牙石进行清除。对不同器械完全清除根分歧部位牙石所需时间进行比较。MED所用时间最短,下面依次分别是FIN、CAV和HAND。在体外去除根分歧部位牙石时,所有超声波器械均快于手用刮治器。使用这些器械将缩短牙周手术的时间并可改善组织再生治疗的疗效。
简介:目的:研究高浓度唑来膦酸对体外分离的健康人下颌骨成骨细胞的影响。方法:体外分离培养来源于健康人下颌骨的成骨细胞,取P3代成骨细胞,用1μmol/L、5μmol/L唑来膦酸分别处理,不加药组为空白对照。以CCK8检测细胞增殖,流式细胞技术检测细胞凋亡,ALP染色及定量分析检测细胞成骨分化,荧光定量PCR检测成骨相关基因ALP、OPN和Runx2的表达,Western免疫印迹检测OPN蛋白的表达。采用SPSS16.0软件包对数据进行统计学分析。结果:唑来膦酸处理后的成骨细胞增殖减慢,5μmol/L处理组较1μmol/L组增殖更慢。药物处理后的细胞凋亡较对照组增加,且随着药物浓度的增加,凋亡百分比显著上升。1μmol/L及5μmol/L唑来膦酸处理后的成骨细胞的成骨分化能力较对照组显著下降。荧光定量PCR结果提示,药物处理后的成骨相关基因ALP、OPN和Runx2的表达显著降低。Western免疫印迹检测结果显示药物处理组OPN蛋白表达量显著下降。结论:高浓度唑来膦酸抑制来源于人下颌骨成骨细胞的增殖及成骨分化,促进其凋亡发生。