简介：采用付玫瑰苯胺与对苯二甲醛通过希夫碱偶联反应制备了新型的多孔芳香骨架材料.经过FTIR,TGA,PXRD,SEM,TEM和Ar吸附等分析方法对多孔芳香骨架材料的成键方式和骨架结构进行了表征.分析结果显示,该多孔芳香骨架材料具有优异的热稳定性（350℃仅失重5%）和溶剂稳定性,其Langmuir比表面积约为472m^2/g.紫外光谱和荧光光谱测试分析表明,该材料在苯、甲苯和氯苯等芳香化合物环境中无明显的荧光强度变化.然而在硝基爆炸物环境中会发生灵敏的、专一的荧光淬灭现象.该多孔材料可应用于硝基爆炸物的检测.

简介：用分子对接和三维全息原子场作用矢量方法对36个来曲唑类衍生物和34个阿那曲唑类衍生物与芳香化酶的作用模式进行了研究,建立了三维定量构效关系模型,并在分子水平上阐述了其结合机制.运用多元线性回归（MLR）建模,同时采用内部及外部双重验证的办法对所得模型稳定性能进行深入分析和检验.MLR建模的复相关系数（Rcum）、留一法交互校验复相关系数（QCV）和外部样本校验复相关系数（Qext）分别为0.863,0.782,0.796和0.931,0.825和0.641.预测模型具有良好的稳定性和预测能力.采用AutoDock4.2软件对药物与受体之间的结合方式进行了研究.运用这些信息能为进一步设计合成强效芳香化酶抑制剂,或筛选潜在的具有更强抑制活性的天然化合物提供帮助.

简介：用pH电位滴定法测定了HL的酸常数（L＝苯并咪唑，吡啶，3，4－二甲基吡啶，异喹啉）以及二元配合物CuL2＋和三元混配配合物Cu（Bic）L＋（Bic-＝Bicine的单电荷阴离子）的稳定常数．三元混配配合物相对于二元配合物的稳定性用△lgKCu＝lgKCu(Bic)Cu(Bic)L-lgKCuCuL来表示．结果表明由于δ-π协同效应和疏水作用，三元混配配合物有较强的稳定性

简介：按场论中的Noether原理,若一相互作用体系在某一么正变换群下不变,那未由此对称性必导致体系的某力学观察量的守恒性,若此观察量保持恒定,过程将被允许,否则被禁阻,点群对称性相应的守恒量称为点称,它遵守相应的守恒规则——点称守恒.从而轨道对称性守恒原理的本质可被较详细地讨论.本文是作者近几年来用中文发表的一系列论文的综合和补充.

简介：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算了不同Al含量的固溶体Sn-Al合金的总能量与电子结构,得到Sn0.7Al0.3合金比例最适合用于锂离子电池Sn基合金材料,并对Sn0.7Al0.3合金嵌锂后的各种物理性质和电化学性质进行了理论计算,发现该固溶体合金相具有较稳定的电化学嵌锂电位和良好的充放电循环性能.同时采用磁控溅射制备了该合金薄膜材料,测试结果与理论计算具有较好的一致性.

简介：基于密度泛函理论（DFT）平面波超软赝势方法，对MgF：晶体近邻F位进行双空穴调制掺杂，选择PBE泛函进行计算，对比N单掺杂MgF：晶体和N近邻双掺杂MgF。晶体的晶体结构、电子结构以及吸收光谱．通过对电子结构的比较，研究了N近邻双掺杂对MgFz光催化活性的影响，给出了离子之间的协同作用机理．通过对比可以看出，N近邻双掺杂对MgF：晶体光学性能具有较佳的调制效果，其效果优于（N，Fe）双掺杂调制．

简介：2,2’-二（1,1’-4-甲基-吡啶）联咪唑（L）、芳香二羧酸与乙酸镉在水热条件下反应得到了配位聚合物[Cd2（L）（p-bdc）2（H2O）2]n（1）和[Cd（L）0.5（m-bdc）]n（2）,并用单晶衍射仪定义了其晶体结构.结构分析表明,配合物1结晶属于正交晶系,Ibca空间群,配合物2结晶属于单斜晶系,C2/c空间群,进一步分析表明,所合成的2个化合物都是有扭曲α-Po拓扑的三维网络结构.在室温条件下,配体L和2个配合物均表现出较好的荧光性质.

简介：金刚石（110）表面具有不同方向上抛光速率的强烈不对称的特征,用第一性原理全能量平面波赝势方法模拟研究了类金刚石薄膜表面的结合强度与摩擦性能,确定了相互作用模型以及排斥力作用范围,研究了范德华排斥力在摩擦表面上的分布,研究结果表明,摩擦表层感受到的力在〈001〉和〈110〉2个方向上表现明显不同,而且〈110〉方向上摩擦力一直高于〈001〉方向上的摩擦力.

简介：基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理平面波超软赝势方法，计算了纯MgF2晶体、Co掺杂MgF2晶体、P掺杂MgF2晶体和（Co，P）双掺杂MgF2晶体的电子结构和光学特性．结果表明，掺杂后的MgF2晶体发生了畸变，原子之间的键长也有所变化．（Co，P）双掺杂后，由于非金属原子P态和金属原子d态之间的轨道杂化，在MgF：的导带与价带之间形成了新的杂质能级，这些杂质能级一方面减小了MgF2的带隙宽度，使光吸收曲线红移到可见光区，另一方面有利于光生电子一空穴对的分离，提高了MgF2光催化效率．（Co，P）双掺杂使位于禁带中的杂质能级的态密度明显增加，导致电子从价带跃迁到杂质能级和从杂质能级跃迁到导带的概率增加，从而使其对太阳能的利用率提高．并揭示了（Co，P）双掺杂MgF2在光学元器件方面的潜在应用．