简介:相对于一般的硬物质(如金属、半导体,陶瓷等),软物质是介于理想固体和流体之间的复杂状态物质(又称复杂流体,软凝聚态物质),如生命物质、聚合物、液晶、土壤、胶体、薄膜、颗粒物质、多孔岩层、石油等。软物质的物理性质主要由其介观(介于宏观和微观之间)尺度的大分子或基团的结构和性质决定,现有的物理和力学理论还不能很好地解释其运动规律和行为。本研究主要包括3个方面的内容:(1)以研究软物质的宏观力学行为为研究对象的软物质力学(唯象);(2)描述软物质的介观量子力学理论;(3)软物质介观尺度的时空结构。另一方面,统称分数阶时间导数、LeVy稳态分布、分数布朗运动、Hurst指数、I/f能谱、分形等数学方法为分数阶数学。
简介:利用室温光致荧光谱(PL)研究金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.
简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。
简介:目的:软土流变和结构破坏的相互耦合导致结构性软土的参数难以准确得到。本文拟建立一个有效的参数确定方法,期望仅基于常规的室内试验得到可靠的、合理的本构参数。创新点:1.通过采用优化方法来实现结构性软土参数的确定;2.仅基于常规的室内试验得到本构参数;3.采用最近提出的考虑各向异性、流变和结构破坏的超应力本构模型。方法:1.建立数值模拟和试验数据之间的误差计算公式;2.通过流变本构模拟室内常规试验,并计算模拟误差;3.采用下山单纯形法(simplex)优化方法,寻找模拟误差的最小值;此最小值对应的这组模拟参数即为土体的最优参数;4.利用最优参数模拟其他类型的试验,验证参数的合理性和可靠性。结论:本文提出的优化程序可以有效的找到结构性土体的流变和结构破坏参数,并且找到的参数非常的合理。