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  • 简介:过孔(via)是多层PCB重要组成部分之一,钻孔费用通常占PCB制板费用30%到40%。简单说来,PCB上每一个孔都可以称之为过孔。从作用上看,过孔可以分成两类:一是用作各层间电气连接;二是用作器件固定或定位。

  • 标签: 多层PCB 过孔 组成部分 电气连接 费用 器件
  • 简介:电涌保护器(SurgeprotectionDevice)是电子设备雷电防护中不可缺少一种装置,过去常称为“避雷器”或“过电压保护器”英文简写为SPD。电涌保护器作用是把窜入电力线、信号传输线瞬时过电压限制在设备或系统所能承受电压范围内,或将强大雷电流泄流入地,保护被保护设备或系统不受冲击而损坏。

  • 标签: 电涌保护器 电子设备 过电压保护器 过电压限制 信号传输线 雷电防护
  • 简介:国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs.,缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办不带地区色彩国际性学术会议。例如,2001年会议收到论文地区分布比例为欧洲23%,北美25%,亚洲14%,日本38%。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行,每年依序更换,

  • 标签: 功率半导体器件 功率集成电路 可靠性 “国际功率半导体器件与功率集成电路会议”
  • 简介:国际电气电子工程师学会(InstituteofElectricalandElectronicsEngineers)简称IEEE,电力电子学会(PowerElectronicsSociety),简称PELS。是IEEE下属37个专业学术组织之一。

  • 标签: 电子学会 工程师 ELECTRONICS 电力 电气 国际
  • 简介:IGBT驱动模块对IGBT功耗和可靠性会产生重要影响,对大功率IGBT驱动模块技术特点作了详细分析,列出了设计关键点,并介绍了大功率IGBT驱动模块技术发展趋势。

  • 标签: IGBT 驱动器 隔离型 大功率
  • 简介:汽车上多台计算机之间通讯是利用"总线"进行。多路总线技术是指利用同一根线传递许多数据信息以保证电控单元(ECU)相互通讯,这根线称为"总线"。1980年起,汽车内开始装用网络。1986~1989年德国bosch提出汽车车载局域网(LAN)基本协议CAN(ControllerAreaNetwork),美国汽车工程师学会SAE提出儿850协议,X-by-wire从Fly-by-wire发展过来。各种不同通讯方式:一是并行方式:在这种通讯方式下,每根线只传输一个二进制位。因此如果需要传输多个二进制位的话,就需要多根线进行。二是串行方式:在这种通讯方式下,每个bit一个一个地被传输。我们选用就是这种连接方式。

  • 标签: 多路总线 ECU 通讯
  • 简介:介绍了IR2110内部结构和特点,给出了高压侧自举悬浮驱动原理和自举元件设计与选择方法。同时针对IR2110不足提出了几种完善应用方案,并给出了将IR2110用于大功率脉宽调制放大器中应用实例。

  • 标签: IR2110 悬浮驱动 自举 大功率 脉宽调制放大器
  • 简介:为了提高产品热处理炉炉温均匀性和稳定性控制性能,通常要按照炉温均匀性检测方法与标准对热处理炉炉温均匀程度进行测定和记录。为此,文中给出了以DSP为基础,并通过具有时间标签温度监控记录仪来对炉温进行测量与记录实现方法。通过该方法还可将具体检测数据记录在FLASH闪存中以备后用。

  • 标签: DSP 温度监控 自动测量 时间标签
  • 简介:FPGA既具有门阵列高逻辑密度和高可靠性,又具有可编程逻辑器件用户可编程性,可以减少系统设计和维护风险,降低产品成本,缩短设计周期。文中给出了利用FPGA设计汉明距离计算电路,同时给出与通过有效芯片资源配置,恰当地选择存储器总容量与加法器总数,来使整个系统资源利用率达到最佳实现方法。

  • 标签: 数字技术 FPGA 汉明距离 芯片资源
  • 简介:为了设计基于Si8250数字电源补偿器,本文采用该芯片专有的GUI图形仿真软件,对功率级主电路开环模型进行了仿真,生成了幅频和相频特性曲线。结合Venable补偿理论与GUI中控制环路模型及图形化补偿方式,设计了精确数字PID补偿器。试验表明,通过GUI设计数字补偿器具有很好环路动态特性和稳定性。

  • 标签: 数字补偿器 GUI设计 动态模型 BODE图 动态响应
  • 简介:本文介绍了一种基于FPGA双输入单输出模糊控制器简化设计,并根据控制器要求利用超高速集成电路硬件描述语言VIID(VeryHighSpeedIntegratedCircuitHardwareDescriptionLanguage)设计了加法器、减法器等运算器。整个设计过程采用自定向下设计方法,并在MAXPLUSⅡ10.2环境下通过编译和仿真。

  • 标签: FPGA 模糊控制器 VHDL 自顶向下
  • 简介:最近由于降低了导通和开关损耗,PTIGBT性能已在200~300V额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300VIGBT和300V功率MOS所有性能。IGBT电导调制使导通电压大幅度减少,总开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命,这些PTIGBT适于高频电源应用。硬开关电路测试表明,300VIGBT比功率MOS成本低,性能更好。

  • 标签: PT IGBT 功率MOS 电力半导体器件 导通电阻 金属氧化物半导体场效应晶体管