简介：中国香港、日本、中国台湾和欧美等国家和地区的许多印制电路板（PCB）企业部陆续将生产线迁至中国大陆，并依靠先进的技术和管理水平，以及大批量生产能力，通过压低产品售价的方式来打压其它PCB制造商，抢夺订单。

简介：今天，PC产业面临又～轮升级一----一向双核时代进发。根据Intel的规划，到今年底，双核产品将占到整个市场的70％以上。

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简介：PCB的发展，当双面板无法容纳下所有线路时，势必走向多层板，而将两双面板或多个双面板利用介质接合威多层板的制程，即称为压合。压合制程影响质量最重要的3步骤：叠板、热压、冷压。下文主要讨论的是PCB多层压合的工艺参数及控制的一些方法，经由理论来设计各制程的参数，并由材料性质着手，配合制程参数：温度、压力、真空来作一探讨。

简介：本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上，结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势，最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。

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简介：在现代工业社会，制造业企业面临的压力越来越大：客户的期望千差万别，前所未有的市场透明度和全球竞争需要企业不断地努力，以期在未来能够生存下去。而企业之所以能生存下去，很大一部分要归功于各类商品的工业标识。因为它们将企业实际的货物物流与虚拟的数据流联系到了一起。

简介：本文介绍功率电子技术（Powerelectronics或称电力电子技术）与微电子技术的区别和‘功率电子学科’的形成与发展讨论功率电子定义、技术覆盖范凰分析功率电子学科与电气工程学科的三个主要子学科内容的关联。分忻功率电子系统运行特点；明确功率电子学科基本理论为：功率电子‘元器件、电路与系统’理论。

简介：针对电力系统日益增多的三相不对称负荷所造成的电网功率因数低、电压波形畸变等问题,本文以平衡化原理与瞬时无功理论为理论支撑,提出一种静止无功补偿装置（StaticVarCompensator）补偿导纳新算法。该算法通过对负荷电流有功分量和无功分量的解耦,利用提取出的无功分量计算理想补偿导纳,相比传统算法检测更为简便,且不受谐波分量影响。在Matlab/Simulink环境下建立TCR＋FC型SVC模型,通过对三相不对称负荷的仿真,证明了所提算法的正确与可行,也验证了SVC装置对平衡三相不对称网络的有效性。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：本文从永磁同步电机的原理、结构和数学模型出发、同时阐述施耐德变频器控制永磁同步电机的模型和控制机理,并就施耐德新一代重磅推出的御卓系列ATV340变频器为实例,以此来论述变频器分别以开环和闭环电机控制方式来驱动永磁同步电机的原理和实践调试方法。并对施耐德变频器控制同步电机的实际效果进行客观评估,实践调试方法注意事项的分享以及新老产品的性能比较。

简介：为了改善瞬时无功理论谐波检测方法的实时性、准确性,提出了一种改进型ip-iq检测法。该方法通过采用平均值算法,利用简单的积分、延时和增益环节代替了低通滤波器,将延时时间减小到了T/6,同时去掉了锁相环,进一步减小了延时,提高了检测的实时性。运用matlab/simulink搭建了仿真模型,仿真结果验证了该方法的可行性和有效性。

简介：AVX公司是全球著名的被动电子器件供应商，作为其子公司的天津安施国际贸易有限公司在上海PCIM2010中国电力电子展览会上精彩亮相。

简介：介绍并评论了DC-DC变换器早期理论的代表性著作——美国Moore博士1966年发表的论文"DC-DC变换网络的基本问题"。回顾了国际电力电子学术活动进展的历程,分析了这篇论文的时代背景及其特点。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。