简介：等离子技术在印制电路领域已经广泛应用。主要应用于清洁、除胶、活化和凹蚀，其中除胶应用最广泛。文章首先在理解等离子蚀刻机理的基础上，对等离子蚀刻均匀性进行了研究，研究结果显示：影响等离子蚀刻均匀性的主要因素有边际效应、流量效应和周边气体效应，三者使等离子蚀刻呈“W型分布”。文章对“W型分布”机理进行了理论解释，并利用“W型分布”理论对等离子设备腔体的挡板及装板方式进行了优化。改善后等离子蚀刻均匀性由62．7％提升到了89．7％。文章还对等离子去钻污参数进行了研究。通过优化去钻污参数，等离子层间分离报废由23．9m^2／月降至0．49m^2／月，改善效果明显。

简介：随着PCB向高密度和高精度方向的快速发展,高密度设计的生产板将越来越多、越来越普及,这也给生产工艺提出了更高的技术要求,同时孔多、密集也给钻孔带来了很大的挑战。现时,很多企业为了提倡降低生产成本,往往盲目的批量采购一些低价的钻头配套生产,在生产过程中,不仅没有达到节约成本的效益,反而带来了更多的报废板,适得其反不断加重生产成本;所以,选购质量稳定的、满足公司品质需求的钻头生产,可以解决不必要的报废。

简介：高锰酸钾去钻污法是目前除胶渣流程广泛使用的方法,具有稳定性好,经济高效,便于操作等优点。随着各个PCB生产企业生产流程和工艺的不同,所采用的浸槽时间也不尽相同,溶胀与去钻污时间配合不好,会造成孔内钻污去不净或者过蚀的现象,所以正确掌握溶胀与去钻污的配合时间对PCB生产企业有着重要的意义。

简介：本丈主要介绍了高锰酸钾法,去钻污剂DM-120A、B(大连太平洋化工有限公司产品)温度、时间、总锰含量、当量浓度的改变对去钻污速率的影响.

简介：离心式液下泵或带自吸装置的立式泵广泛应用在化学化工、市政建设,环保等行业中。它的特点是不需引水或第一次引水后,能在停泵以后不再需要引水而直接输送液体,特别适用于地槽中液体的抽吸。但它的价格较普通的卧式泵要贵,泵体较重,伸入地槽的进水管较长,因而维修较麻烦。卧式泵虽较轻,但需引水才能从地槽中抽吸上来。如果在吸水(进水)管路系统中没有防

简介：台湾尖点科技估计，IC基板市场需求成长将令其IC基板钻针（drillbit）2008年出货量大幅上升。其线路板和IC基板用钻针2007年的出货比例为50：50，2008年估计将转变为45：55。

简介：为了提高刚挠结合板的挠曲次数，往往把挠性区做成两层或两层以上的分层结构。这种结构就要使用到单面软板。两个单面挠板的粘合一般都使用丙烯酸胶膜。和刚板不同的是，挠板中的PI（聚酰亚胺）和丙烯酸都有很大的塑性。钻完刚性区通孔后，孔内的挠板区由于材料还有一定的弹性恢复就会有几微米到几十微米的尺寸突出。在该区域，它与孔金属化铜层之间结合力会非常低。为此，本文将通过优化试验参数，获得最佳的试验参数，并通过机理的研究，指导制作出平整，优良的孔壁，获得优良的金属化孔。

简介：6月20日,伴着喜庆暄天的礼炮声、轰隆隆的挖掘机鸣声,徐州市标特福数控科技有限公司年产1200台数控钻铣机床项冃正式开工.

简介：文章将就湿法贴膜与普通干膜对线路的影响进行解析,分析湿法干膜在精细线路制作过程中针对凹陷和划伤起到很好的填充能力,保证了高效的品质及提升生产效率。

简介：本文采用树脂油墨填充无铜区,接下来再进行压合的工艺,解决了直接使用半固化片压合造成的厚铜板无铜区压合填充不饱满问题。

简介：本文主要介绍二层探性覆铜板的产品结构、制造流程和产品特性.

简介：盲孔压接区的污染问题是N＋N双面盲压背板制作过程中最常见的问题。本文建立鱼骨图对盲孔压接区的破损污染问题进行了分析,找到了产生盲孔区污染的主要原因为：半固化片开槽设计、钻孔后烘板、去毛刺铜皮破损、阻焊前烘板、各工序擦花及成品酸洗,通过优化设计、工艺和制程管控来解决成品开盖前的盲孔污染问题。

简介：为了提升CCL制程中压合工序液压系统的压力稳定性，通过对典型的压机液压系统分析研究，结果表明：（1）利用千斤顶的液压原理，在主油路系统中并联手动加压系统，有效的确保了主电源失电或压力系统故障的压力稳定性。（2）考虑到多台压机液压系统的共性，将一套高压泵液压系统并联到每台压机液压系统主油路中以备随时切换，有效解决高压泵、电控比例式溢流阀故障等导致压力波动。

简介：背钻技术在高频电路板上运用越来越广泛,但背钻技术在加工过程中出现孔内披锋频繁,严重影响产品信号传输,在下游的SMT厂家焊接过程中,容易出现焊接不牢、虚焊、短路等问题。文章主要针对背钻加工出现孔内披锋的研究,通过实验分析找出背钻孔内披锋产生的原因,并且有针对性的对加工参数、钻头选择等方面对背钻孔内披锋改善的影响度研究;发现加工参数和钻头选择为孔内披锋产生的重要原因,通过实验优化背钻加工工艺参数,能够明显改善背钻孔内披锋。

简介：对于任何人来说，数字电源系统管理（DPSM）在通信和计算机行业内的持续采用，在很大程度上继续由位于其系统架构核心的20nm以下ASIC和／或FPGA所需之高电流水平驱动都是不足为奇的。