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20 个结果
  • 简介:SMT生产是电子产品生产质量的基础,只有好的过程控制,好的工艺过程才能使产品的质量得到保障。在SMT的缺陷有很多例如立碑、桥连、虚焊、位等,在这里我只介绍一下作为过程工艺工程师如何对位缺陷的分析解决过。

  • 标签: 过程控制 SPC TPM PDCA
  • 简介:应用板完成选择性波峰焊接是比较好的一种量产工艺方法,本文就波峰焊板的使用评估、使用的好处、存在的问题、板的材料和设计等进行了详细的描述。

  • 标签: 波峰焊 载板 挡锡条
  • 简介:干扰机的转发式干扰进入雷达主瓣,使得雷达失去对目标的测距能力,其对抗非常困难。提出了采用干扰机性能排查的雷达抗干扰技术,雷达通过发射干扰机参数性能侦察信号,经过专门的侦察分析设备,侦察、分析干扰机的工作参数,从而使得雷达的工作与干扰机达到"匹配",使得雷达的抗干扰效果达到最佳。设计了雷达对抗弹干扰机的抗干扰工作模式和新增系统构成。

  • 标签: 转发式干扰 反干扰 弹载干扰机
  • 简介:摘要笔者在个人的教学实践中发现,缅甸景颇族学生普遍表现出声调发不准的问题,尤其是在发第二调和第三调时,大多数同学发不准这两个声调。初步接触汉语的同学更是很难读准这两个声调,这是个很大的难点问题。为此笔者以某两个班的27名缅甸景颇族学生为研究对象,研究他们汉语发音过程中的声调误,并根据实际情况给出相应的教学对策。

  • 标签: 景颇族 声调偏误 习得 教学对策
  • 简介:摘 要: 研究表明:抽油杆的重量磨损率随着原油含水量的增加而增加,随侧压力的增大而增大。通过对抽油机井最小载荷随含水和沉没度变化规律及杆管摩擦磨损规律的实验研究,找出了含水、沉没度对杆管磨的影响规律。高含水抽油机井在低沉没度条件下运行时,抽油泵因严重供液不足而产生液击,会加剧抽油杆柱振动,降低抽油机悬点最小载荷,从而减少抽油杆柱的轴向分布力与杆管产生磨的临界轴向压力,加大下冲程时抽油杆柱下部受压段的长度,易造成抽油杆柱屈曲而导致杆管磨。高含水是导致杆管磨速度加快的主要原因。

  • 标签: 抽油机井 最小载荷 含水 沉没度 变化规律
  • 简介:从火控雷达反辐射导弹的迫切需求出发,基于雷达组网理论,提出了组网火控雷达间歇辐射反辐射导弹方法;对非相干两点源干扰单脉冲雷达测角理论进行拓展分析,提出了两点源或多点源间歇辐射对反辐射导弹的闪烁诱偏方法;建立了反辐射导弹攻击效果评估模型,在设定的仿真背景下,对不同来袭方向的反辐射导弹的闪烁诱过程进行了仿真。结果表明,对于不同来袭方向的反辐射导弹,通过调整雷达的组网形式可以获得最佳的对抗效果。

  • 标签: 雷达组网 反辐射导弹 间歇辐射 生存概率
  • 简介:摘要航空航天领域轻量化要求的不断提高,促进了轻质、高强度材料的应用。但是,由于这些材料的成形性能差、回弹不易控制等问题,导致冲压成形难度大。针对变速/变成形提高板料成形性能的问题。提出成形载荷控制板料弯曲回弹的方法,建立了回弹预测模型。本文将应用上述结论指导变速/变下的拉深实验工艺设计,深入研究变速/变提高板料成形极限的规律,分析变速/变提高板料成形极限的机理。

  • 标签: 变速/变载 拉深成型 规律 研究
  • 简介:提出了一种利用微波谐振器散射参数的幅度信息测量无品质因素的方法。该方法认为在谐振点附近,耦合电路的参数和谐振器的参数相比可以忽略,因此采用简化的等效电路模型,利用谐振点附近的标量散射参数测量值来计算无品质因素。为了消除散射参数曲线左右不对称所产生的影响,不采用散射曲线上独立的点来计算,而是采用带宽来计算。选取无品质因素曲线平缓部分进行平均作为测量结果,测量精度接近临界点法。

  • 标签: 谐振器 品质因素 谐振点 标量散射参数
  • 简介:数字阵列雷达是一种灵活的阵列雷达,可以通过数字技术完成所需的若干功能,尤其是噪声干扰等。文章研究了数字阵列雷达在波形选择、接收超低副瓣形成及自适应零点形成技术等方面的实现,以及仿真和性能测试结果。

  • 标签: 数字阵列雷达 抗噪声干扰 超低副瓣 自适应零点形成
  • 简介:伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

  • 标签: 闩锁 寄生BJT PNPN结构
  • 简介:存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地单粒子翻转,但是动态情况下单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构,使存储单元在读写状态下具有一定的单粒子效应能力。同时,对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法,解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的单粒子翻转能力。

  • 标签: SRAM加固 DICE 分离位线 单粒子翻转
  • 简介:针对密码芯片在抵抗功耗攻击时存在着效率与安全两个方面的矛盾,文中通过利用奇系数梳状算法对标量进行编码,同时结合预计算方法把椭圆曲线密码标量乘法运算转化为一组小标量乘法运算,并利用基点掩码技术实施功耗攻击。性能分析结果表明:与传统的功耗攻击方案相比,给出的功耗攻击方案不仅可以抵抗多种功耗攻击,并且能够在存储空间和主循环运算量基本保持不变的情况下具有更高效的运算效率,在各种资源受限的应用系统中具有较好的实际应用价值。

  • 标签: 密码芯片 椭圆曲线密码 功耗攻击 奇系数梳状算法
  • 简介:随着移动通信服务的不断普及和市场竞争的日益深化,全球范围内的移动通信运营商普遍面临着ARPU值持续下降的局面。为了在市场竞争中保持竞争力,移动运营商纷纷把改善ARPU值的希望寄托于移动数据业务。但是,不管是2G时代的GPRS系统还是3G初期的WCDMA系统,其数据带宽都不足以满足用户对多媒体数据业务的要求。可以说,空中接口带宽的不足成了限制多媒体移动数据业务发展的瓶颈。而这也正是大量移动运营商对以WCDMA为代表的早期3G系统兴趣不足的原因。

  • 标签: WIMAX WCDMA系统 移动数据业务 移动通信运营商 ARPU值 移动运营商
  • 简介:通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

  • 标签: 高压SOINMOS 背栅效应 总剂量 抗辐射加固
  • 简介:随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用,在国际上对光器件辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的辐射性能,满足空间应用的各种需要,文章介绍了空间辐射环境,空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理,主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时,概述了航天用光器件的辐射加固技术及其最新进展。通过采用辐射加固技术,大大提高了空间应用的超辐射发光二极管(SLD)、超荧光光纤(SFS)光源、1310nm波长的InGaAsP/InP半导体激光器、电荷耦合器件(CCD)、互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件的辐射性能和可靠性。

  • 标签: 空间 辐射 抗辐射加固 光纤 激光器 探测器
  • 简介:测控数传一体化是一种新的测控模式,该模式采用空间数据系统咨询委员会(CCSDS)的高级在轨系统(AOS)建议,将测控与数传功能合二为一,能够有效提高卫星的有效载荷比。针对应用于测控数传一体化应答机中的CAN总线,以FPGA为主控制器,SJA1000为CAN通信控制器实现其硬件接口电路,并采用VHDL语言进行CAN总线接口模块的设计与实现,仿真与测试结果表明,在该硬件平台上CAN总线的通信速率能达到500kbps,较好地满足了系统需求。

  • 标签: 测控数传一体化 FPGA CCSDS CAN总线
  • 简介:文章实现了一种应用于串行通信中的噪声接收电路的设计。UART被广泛应用于在远端设备之间进行串行通信,传统接收电路在位周期的中央对信号进行采样,但是由于各种随机噪声的干扰,会引起数据采样错误,造成通信出错。文章提出的设计方法是利用一个累加器在一个特定窗口周期内对串行数据进行采样并累加,再根据累加和判断出窗口期内正确数据位,从而滤去串行线路上的噪声得到纯净的串行数据,这大大增强了串行通信的可靠性。文章利用Quartus软件对设计进行编译、综合、仿真。仿真结果表明该电路能有效滤去串行线路上噪声,极大增强了接收电路的噪声性能。

  • 标签: 通用异步接收发送器 抗噪声 串行通信 现场可编程门阵列
  • 简介:提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。

  • 标签: 抗辐射设计方法 C单元 单粒子效应 三重冗余 标准单元 表征