简介:本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法,在Si(100)基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜,第二步是利用H2SO4:CrO3的饱和溶液对样品进行处理,再用H2O2:NH4OH(1:1)溶液冲洗干净,处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明,薄膜厚度达60μm,纯度很高,并且在整个面积上是均匀的。
简介:CVD金刚石可以用各种方法合成,其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜,并就膜与基底的附着强度和膜的性质作过探讨。但是,热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。本研究试图通过控制沉积压力、输入功率等沉积参数扩大等离子体直径,以沉积出大面积金刚石薄膜。我们的目的是利用热等离子体CVD工艺沉积出生长速度高、面积大且膜厚均匀的金刚石薄膜。同时探讨了合成条件对金刚石薄膜形状的影响。本研究得出的结果如下:(1)随着沉积压力的降低,金刚石晶粒尺寸减小,成核密度增加。金刚石的结晶性则几乎不受沉积压力的影响。(2)随着等离子体电流的增加,金刚石晶粒尺寸减小,成核密度增加。增加等离子体电流也可改善金刚石的结晶性。(3)降低沉积压力和增加等离子体电流均可扩大等离子体射流,但是金刚石沉积面积的变化并不明显。(4)随着沉积压力的降低和等离子体电流的增加,金刚石的结晶性均会增加。降低沉积压力和增加等离子体电流有利于改善金刚石薄膜的均匀性。
简介:德国瓦尔特(Walter)公司开发的HelicheckProandPlus测量机现在已具备了对刀具的切削刃制备(即切削刃圆弧半径)进行精密测量的功能。刀具的切削刃制备作为延长刀具寿命的一种重要方法,已得到日益广泛的应用,但迄今为止,对切削刃制备的精密形貌进行测量还需要使用昂贵的专用测量仪器。为了解决这一问题,瓦尔特的Helicheck测量机在原有测量功能(包括刀具的几乎所有几何形貌特征,如刀尖圆弧半径、前角、螺旋角、径跳、倒棱宽度等)的基础上,又增加了自动测量切削刃圆弧半径的功能。该测量机利用新增的照相机(放大倍数1000倍)和分路LED(发光二极管)光束(安装在专用的、CNC控制的旋转轴上),能够对最小至5微米的切削刃圆弧半径进行测量。