简介：金属基固体自润滑材料是材料科学研究领域的一个重要发展方向,因其在特殊条件下具有优良的摩擦学特性而受到人们的广泛关注,为促进该类材料的研究与应用,作者综述了某些金属基固体自润滑材料的研究概况,重点介绍了其摩擦学特性或相关物理机械性能,并提出了该类材料几个值得重视的发展趋势。

简介：介绍了用于制备超细和纳米硬质合金的现代烧结技术,如压力烧结、场辅助烧结、微波烧结、二阶段烧结等,评价了各种烧结方法,并以实验依据论证了真空烧结等普通烧结工艺在纳米硬质合金制备中的可行性.

简介：介绍了粉末颗粒堆积的研究意义、背景及进展情况,综述了目前国内外用于预测粉末颗粒堆积密度的几种方法,对各种模型的假设前提、建模思路及模型适用范围进行了详细的说明.

简介：在电子工业中,助焊剂是焊料的重要组成部分,并且对产品最终焊接性能影响很大。根据焊后的清洗工艺,助焊剂主要分为溶剂清洗型、水清洗型和免清洗型,该文分析这3种助焊剂的成分组成、使用情况以及优缺点。免清洗型助焊剂在焊后不需要清洗,具有环境友好,焊接生产周期短,成本低等优点,是最具发展潜力的助焊剂,国内外对免清洗助焊剂产品进行了大量研究,作者从溶剂、活性物质和添加剂等3个方面详细阐述免清洗型助焊剂配方的研究及发展趋势。

简介：结合图、表和公式综述了材料设计从宏观到微观的不同层次理论的研究现状，包括连续介质力学、结构动力学、缺陷动力学、分子动力学和量子力学等，其中，量子力学属于微观层次，分子动力学主要属于介观层次，其余属于宏观层次；进而讨论了材料设计领域的构建材料结构与性质关系、以及沟通与整合各层次理论的跨尺度关联问题。最后，介绍了现阶段材料设计的知识库和数据库技术、专家系统技术、计算机模拟技术和纯理论计算方法等4种途径。

简介：

简介：成本高、制备周期长、抗氧化性能差是目前C/C复合材料存在的主要问题.作者简述了碳纤维对C/C复合材料成本的影响,重点介绍了国内C/C复合材料的制备工艺和抗氧化涂层方面的研究现状,探讨了今后的发展方向.

简介：从人造金刚石刀头构成的3个方面:结合剂、金刚石、内外部结构出发,讨论总结了各种因素对刀头性能的影响。根据理论研究和实践经验提出了一些指标的控制参数和判断依据。

简介：用粒度为63μm和14μm的SiC粉末为原料,在注射温度和注射压力分别为160℃和70MPa、粉末装载量（体积分数）为63%的条件下,获得SiCp注射坯,经过溶剂脱脂和真空热脱脂以及1100℃/7h的真空预烧结后,在1000℃、N2气氛下进行Al合金熔渗,制备高体积分数63%SiCp/Al复合材料电子封装壳体。研究表明,熔渗组织均匀、致密,SiC颗粒均匀分布在Al基体中。熔渗时需要严格控制熔渗时间,熔渗时间超过10min后会导致坯体被Al合金熔体过度熔渗,从而在复合材料表面产生Al合金层,时间越长,Al层厚度逐渐增加。最终制得的高体积分数63%SiCp/Al复合材料封装壳体的尺寸精度优于0.3%,其热物理性能优异,热膨胀系数和热导率分别为7.2×10-6K-1和180W/m·K,密度为3.00g/cm3,能够满足电子封装材料性能的要求。

简介：回顾了我国中小硬质合金企业的发展历史,对其现状进行了简明的分析,指出中小企业在行业中所占比重愈来愈大这一事实。众多中小企业将在与大型企业长期共存中优胜劣汰,为了确保今后健康稳定地发展,各中小型厂家应研究市场情况,正确分析主客观条件,扬长避短走自己发展的道路。本文还对中小型厂家的技术改造、经营亏损现象、降低生产成本等问题进行了讨论。

简介：将NH4HCO3加入到10g706硅橡胶粘合剂中,添加气相SiO2作为补强剂,制备氨气缓释材料。研究气相SiO2的用量（0～2.5g）和NH4HCO3的用量（0.1～1.0g）、温度（20～40℃）及物料捏合时间对氨气释放速率的影响,采用扫描电镜（SEM）观察缓释材料的显微形貌。结果表明,当室温硫化硅橡胶粘结剂为10g,气相SiO2加入量为2g、捏合时间为1h时,材料的缓释性能优异。气相SiO2加入量越大,则材料硬度越高、变形越困难,缓释性能越好,氨气从材料中释放的速率也小。NH4HCO3加入量越小,氨气释放的速率越慢,缓释效果越好;温度越低,材料缓释效果越好。

简介：采用CFD(computationalfluiddynamics,计算流体力学)软件系统研究超音速气雾化喷嘴两相流的雾化过程。利用VOF(volumeoffluid,流体体积)函数两相流模型模拟验证金属液不同质量流率下的2种初级破碎模式,并研究雾化压力和液体表面张力对金属液初级破碎过程的影响。模拟结果表明:金属液质量流率较小(0.053kg/s)时,初级破碎模式为液膜破碎,金属液质量流率较大(0.265kg/s)时,初级破碎模式为“微型喷泉”破碎;随雾化压力从0.5MPa增加到1.5MPa,初级破碎程度加剧,但雾化压力过高反而会削弱雾化效果;将金属液表面张力由1.2N/m降至0.4N/m,初级破碎时能够获得尺寸更细小的液滴,通过随后的二次破碎形成更加均匀细小的液滴,从而获得高质量的沉积锭。

简介：微电子封装材料要求具有高热导率和特定的热膨胀系数。钨铜二元假合金系列材料是可选材料之一。根据特别的热物理性能要求设定和钨铜合金各种工艺的组织结构特点,可确定具有理想且稳定的热物理性能的材料组织结构应为二元连续液相烧结组织,即以钨颗粒为骨架,主导CTE值的变化,铜液相凝固态连续地分布在间隙和烧结颈侧隙。要获得这种组织、对工艺和性能控制将有更苛刻的要求。作者根据金属合金及复合材料性能理论,针对钨铜二元合金的互不溶性特点、二元素的弱交互作用,运用组织结构模型和建立理论热物理模型,用于计算和预测二元系合金热物理性能的变化趋势和范围,以图对该合金的成分和性能设计与控制提供初步的理论依据。

简介：采用熔体快淬法制备FeSiAl快淬带料;利用行星式高能球磨工艺进行扁平化处理;使用真空管式炉进行氢还原退火处理;采用SEM、PPMS表征试样的形貌及室温磁滞回线;使用矢量网络分析仪测量试样在10~100MHz频段的复磁导率;采用抗干扰性能测试系统测量表征磁片抗干扰的标签读写距离;研究影响FeSiAl粉体材料磁性能的主要因素,并分析了其作用机理。结果表明,采用高低速两步法高能球磨处理,能有效提高薄片状FeSiAl材料的径厚比;氢还原退火处理能有效提高饱和磁化强度和磁导率,降低矫顽力和磁损耗;制备的片状FeSiAl材料在13.56MHz频率附近具有优异的近场通信抗电磁干扰性能。

简介：纳米铁及氧化铁粉广泛用于磁记录、气敏元件、光吸收材料、高效催化等领域。近年来，纳米铁及氧化铁粉的制备技术和物性研究取得了较大进展，应用领域进一步扩展。该文着重介绍国内外纳米铁及氧化铁粉的几种基本制备方法及其关键技术的发展现状，并分析了用不同方法制备的纳米粉末的物理特性。

简介：介绍了新型超导体MgB2的基本超导电性,综述了MgB2材(多晶)、线材和带材的主要制备技术,并对MgB2超导材料的应用前景进行了展望.

简介：通过第一性原理的密度泛函理论,研究Cl^-离子在Al（100）表面的吸附行为,获得了不同覆盖度下Cl^-离子在Al（100）表面吸附后的能量、结构参数和电子特性。计算结果表明,Cl^-离子在Al（100）表面的顶位（T）和桥位（B）的吸附较稳定,而洞位（H）是能量上最不稳定的吸附位,吸附能随着覆盖度的增大而减小。同时,表面吸附Cl^-离子,还引起靠近表面的多层Al原子发生不同程度的收缩;随着覆盖度的增加,被吸附的Cl^-离子之间的距离变短,使得它们之间的静电排斥和静电能增大,并导致表面吸附能和吸附的Cl^-离子与最外层Al原子间的垂直距离逐渐减小。通过对清洁的Al（100）表面及Cl^-离子在不同位置的吸附表面的态密度分析,得到如下结论：Cl^-离子在Al（100）表面的吸附主要是由于Cl^-的2s和2p轨道与基底金属的3p轨道相互作用的结果。

简介：采用电弧熔炼法制备8个不同Ge含量的Co-Ge二元合金铸锭,利用扩散炉对不同成分的合金分别在不同温度下进行退火。通过利用X射线衍射（XRD）、电子探针显微分析（EPMA）和差示扫描量热法（DSC）对铸态和退火态合金进行分析,更新该体系零变量反应温度和液相线数据。结果表明：在600℃下有Co3Ge相生成,在600℃和500℃下均未发现Co5Ge2相。在600℃和700℃下,βCo5Ge3与CoGe两相平衡,没有观察到η相。

简介：针对无机纳米粉体的表面改性,以自由基聚合的方法制备以马来酸酐及其单酯物为锚固基团、甲基丙烯酸丁酯（BMA）为溶剂化链、苯乙烯（St）为功能基团的超分散剂SMB。研究不同超分散剂种类、用量以及传统分散剂改性无机纳米粉末的效果,改性前后纳米粉末通过亲油化度、润湿性检测以及SEM和TEM观察以表征其改性效果。研究表明,超分散剂的适宜用量为8%;超分散剂SMB-2改性纳米TiO2粉体的改性效果较好;通过对比超分散剂与传统改性剂钛酸酯、硅烷偶联剂和TDI改性纳米TiO2粉体的改性效果可知,超分散剂的改性效果较佳。

简介：利用WC，Co，（Ti,W）C，Ti（C,N）等原料粉末，采用1步烧结法制备脱β层梯度硬质合金，利用扫描电镜观察合金表层的微观组织结构，采用电子探针微区分析技术（electronprobemicroanalysis,EPMA）定性分析合金表层的金属元素W、Ti、Co及轻元素C、N的分布规律，采用EPMA定量技术分析金属元素尤其是Co的复杂分布规律，并对其形成机制进行深入讨论。定性分析结果表明：脱β层内W元素的含量稍高于合金芯部的平均W含量；所有含Ti相均已完全脱除；脱β层不仅是缺立方相层，同时也是富Co层；脱β层中C元素的含量略有下降；N元素含量并不为零，某些区域甚至高于芯部。定量分析结果表明：脱β层中Ti元素含量基本为零，但在界面靠近芯部一侧Ti元素含量明显高于芯部的平均值；从合金表层至芯部依次存在低钴层、高钴层及贫钴层3个钴含量不同的区域。合金整个表层钴含量的复杂分布情况是由钴原子的空位扩散机制与液相迁移机制联合形成的。