缺陷对多壁碳纳米管光致发光特性的影响

采用化学气相沉积法，在反应温度分别为980℃和1040℃时制备了多壁碳纳米管（MWNTs）样品，并采用扫描电镜和拉曼光谱对样品进行了表征；结果表明，当反应温度为9800C时，制备的碳纳米管结构缺陷更多。使用波长为350nm的光激发2种样品并测量它们的光致发光光谱。发射峰值约在550nm处，反应温度为980℃时制备的碳纳米管的发射光谱的光强较强。