缺陷对多壁碳纳米管光致发光特性的影响

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摘要 采用化学气相沉积法,在反应温度分别为980℃和1040℃时制备了多壁碳纳米管(MWNTs)样品,并采用扫描电镜和拉曼光谱对样品进行了表征;结果表明,当反应温度为9800C时,制备的碳纳米管结构缺陷更多。使用波长为350nm的光激发2种样品并测量它们的光致发光光谱。发射峰值约在550nm处,反应温度为980℃时制备的碳纳米管的发射光谱的光强较强。
机构地区 不详
出处 《上海电机学院学报》 2012年5期
出版日期 2012年05月15日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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