简介：本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比，该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。

简介：你是否因为你的手机每次取掉电池以后，开机都要重新设定时间和日期而伤透脑筋?目前市面上有不少手机机板都没有备用电池，以至你每取下一次电池重新装上，开机后都会让体重新设定时间和日期，让人总是觉得有点美中不足，现在教你一种方法，使你不再为这个问题而烦恼。

简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。

简介：瑞萨电子株式会社日前推出的R—CarV3M入门套件可以简化并加速开发新车评估项目（NCAP）的前置摄像头应用、环视系统和激光雷达。新入门套件以R—CarV3M图像识别SoC为基础，为日益增长的NCAP前置摄像头市场提供兼顾低功耗和高性能的方案。通过将R—CarV3M入门套件与支持软件和工具相结合，系统开发人员可轻松开发前置摄像头应用，从而有助于减少开发工作量、缩短产品上市时间。

简介：10月29日，中国电信重庆公司首批去IOE小型机设备正式下线，标志着重庆公司“告别小型机”时代正式来临。“去IOE”是指使用以“x86的硬件＋开源软件”为代表的互联网化技术架构，替换传统IT平台部署中以IBM设备为代表的小型机、以Oracle数据库为代表的商用软件、以及以EMC设备为代表的高端存储设备。