650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件

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摘要 本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比,该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度,减小了MOS沟道的宽度,提高了背面的发射效率。相应地,器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。
机构地区 不详
出处 《电力电子》 2010年4期
出版日期 2010年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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