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650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件
650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件
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摘要
本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比,该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度,减小了MOS沟道的宽度,提高了背面的发射效率。相应地,器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。
DOI
54y6lwq9d0/915676
作者
A.Hartl;M.Bassler;M.Knecht;P.Kanschat;冯幼明(译);王传敏(译)
机构地区
不详
出处
《电力电子》
2010年4期
关键词
大电流
器件
短路
Infineon公司
模块
时间
分类
[电子电信][电路与系统]
出版日期
2010年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电力电子
2010年4期
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