简介：介绍了一种以PMT作为感光器件的基因分析仪。该仪器以80C552单片机为微处理器，配合光学系统、位置控制系统进行信号采集与处理，并通过对待测试剂的荧光特性参数的采集分析来确定特定基因段的含量。本仪器具有检测速度快、准确性高等特点。

简介：威盛电子日前推出的VIAPT890芯片组进一步扩展了威盛支持MicrosoftWindowsVista规格的核心逻辑芯片组产品线。据悉，威盛电子这次推出的VIAPT890芯片组可支持包含1066MHz前端汇流排Intel处理器在内的全系列微处理器，并能提供PCIExpress连接功能，同时可支持DDR2存储器规格。此外，该芯片组还拥有完整的功能特性和绝佳的稳定性，因而具有杰出的系统效能。

简介：介绍了当前3G成熟的CDMA技术和未来4G的核心技术OFDM的基本原理和各自优缺点，分析了CDMA和OFDM两种不同技术的应用侧重，同时指出了两种技术融合的前景及前沿拓展。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：传统的电容器组补偿由于响应时间慢,不能动态跟踪电网进行补偿等缺点,已经无法适应未来智能电网的发展方向,本文把SVG和电容器组进行对比,阐述了SVG的原理、技术优势和电容器组的缺点。以SVG为代表的新型无功补偿设备技术先进可靠,有广泛的应用市场前景。

简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。

简介：随着指纹识别技术日渐成熟及指纹采集设备价格的大幅度下降，普及指纹身份验证系统的时机越来越成熟。在目前的指纹自动识别技术的基础上对指纹处理算法做了较大的改进，使算法非常实用可靠。在此技术前提下介绍用MCS-51和MotorolaDSP56311构建主从式指纹自动识别系统的技术要点。

简介：对两种带有CAN控制器的微控制器的体系结构、内部特点、内置的CAN控制器、以及应用领域等进行了比较．详细介绍了它们在内置CAN控制器方面的区别。提供了在不同应用领域选择不同微控制器的新思路。

简介：分段长定子永磁直线电动机能够形成车道，是工业上物流系统中的一种有效方法。有种电机在控制上存在一些缺点，如存在齿槽力、过渡区存在力削弱以及饱和现象。本文利用有限元法得到的三维表并将其作为前馈量的方法来比较磁场定向控制和间接定子磁通控制，相应实验结果在文中给出。

简介：在德国，第一台大型的变速风电机组（3MW，风轮直径达100m）诞生于1980年，但是由于机械问题，该项目并不是很成功。那时候，电力电子器件的成本相当的高，因此，风电机组就经常采用具有很小滑环的双馈异步发电机来节省电力电子器件的成本。

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。