简介：综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管（emitterturn-offthyristor，ETO)的开通过程。结果表明，开通dl/R可以在一定条件下受控，以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求，实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管（reverselyswitcTeddynistor，RSD)二维数值模型，论证了开通原理的可行性，热电耦合模型以SiC本征温度为依据据，SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。

简介：2013年光器件和模块的市场报告数据有喜也有忧。一些市场板块2013年几乎翻番，但是别的板块减少了三分之一。

简介：半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：采用溶胶-凝胶法制备纳米级SiO2粉，分别用X射线衍射仪、透射电子显微镜、红外光谱仪和差热扫描量热分析仪对其进行了分析测试。结果表明于凝胶在1200℃热处理1小时仍是无定型的SiO2粉，其平均粒度大小为40nm。

简介：用纳米结构粉末做喂料进行喷涂，缩短了颗粒熔化时间，在有限的飞行时间内，颗粒熔化效果更好，从而制备的涂层孔隙率更小，表面更平整。用ZrO2纳米结构喂料制备了等离子喷涂层，研究了功率、粒度、氧化钇含量等工艺参数条件下涂层的微观组织、孔隙率、相组成及抗热震性能。经X衍射分析表明，原始粉末由m-ZrO2,t-ZrO2,c-ZrO2构成，单斜相的含量为11％，主要由四方相和立方相构成。

简介：通过对由纳米磁流体运动引起的双扫描激光散斑干涉光场及其变化做拉盖尔-高斯滤波下的傅里叶变换，获得动态散斑干涉图对应的光学涡旋分布及变化特征。分析认为，光学涡旋分布及变化对应着由纳米磁微粒及其团族的运动所引起的动态散斑变化。当纳米磁微粒聚集到分散的过程中，动态激光散斑光场的奇异场分布发生相应变化，说明了磁流体运动过程对应涡旋密度有先大后小，再由小变大的两个变化；并且光学涡旋密度高，对应较小颗粒的散斑场，磁流体处于稳态的状况；光学涡旋密度低，对应较大颗粒的散斑场，对应着磁流体激烈的运动。研究结果体现了奇异场分布变化和纳米磁流体动后趋稳的过程存在对应关系。

简介：近年来,随着半导体工艺技术的迅速发展,质子单粒子效应研究的重要性上升到了一个新的高度。综述了国际上纳米集成电路质子单粒子效应研究的主要进展,如低能质子成为纳米集成电路单粒子效应和软错误率的主要贡献因素,中高能质子与新型器件材料（如钨）核反应研究成为质子单粒子效应新的热点问题,介绍了中国原子能科学研究院在纳米集成电路低能质子实验方面开展的相关工作。

简介：重离子柬轰击聚碳酸酯后．对样品进行陈化和紫外线照射数化，在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线／聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。

简介：近年来,纳米晶体中稀土离子发光性质的研究越来越受到人们的广泛关注,这是因为纳米稀土发光材料在发光、高清显示、光电子纳米器件、生物荧光标记、激光和闪烁体等众多领域有着重要的应用前景。本项目采用软化学合成方法如水热法、溶胶-凝胶法等,通过合成工艺的调控,设计并合成出一系列不同颗粒尺寸、分散均匀、形貌可控的稀土离子掺杂氧化物（氟化物）微/纳米晶体,利用激发、发射、漫反射以及高分辨激光光谱等光谱分析手段对其发光性质进行研究,弄清影响发光行为的本质原因。同时,结合光谱实验数据,利用密度泛函理论和复杂晶体化学键介电理论方法进行理论计算,成功解释了光谱变化规律和不同稀土离子间能量传递机理,为相关稀土光谱研究奠定了理论和实验基础。

简介：用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌，并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响，Ti膜发生了不同程度的氧化，随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。

简介：近年来，纳米尺度的压痕方法测定材料的弹性模量逐渐引起重视。通过重结晶方法制备了HMX与RDX的单晶样品。利用XRD对特定晶面族进行了鉴定，HMX晶体是在（010）面进行衍射分析，RDX是在（210）面，结果表明晶体品质相当高。而纳米试验也在上述晶面（即单晶体在溶液生长出最大显露面）进行。

简介：为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响，采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰，并对ZnS及ZnS／SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异，发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS／SiO2纳米复合材料的光发射性质，分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明，SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS／SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17．5倍，但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1．1倍，这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释，且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。

简介：纳米级银粉，以其纳米尺寸所赋予的独特性能，可广泛应用于催化剂材料、电池电极材料、低温材料和导电浆料，探索纳米银粉的制备方法具有重要的意义。2004年，通过超声化学法，在乙二醇介质中、以硝酸银为原料制备出了有机包覆的纳米银。产物用X射线光电子能谱仪（XPS）、透射电子显微镜（TEM）和红外光谱等进行了检测。

简介：通过对微小应变检测意义的分析，提出了本检测仪在实际应用方面的价值和前景。基于对碳纳米管导电机理的分析、制备薄膜电阻，利用其电阻随形变变化较为灵敏的特性，将电阻的变化转换为电压值的变化，经过数据采集、放大和数字处理设计了应变传感器。

简介：由于存在师资、设备等条件的限制,研究型实验教学通常难以开展。本文探究了基于纳米阵列可控制备的研究型实验教学。本文探究的纳米阵列可控制备设备要求低,实验步骤简单易行。首先通过改变实验条件,可以制得不同尺寸的纳米球。再利用制备好的纳米球,通过水/空气界面提取法得到周期性的纳米阵列。基于纳米阵列可控制备的研究型实验教学不仅使学生更加深刻理解纳米材料,激发学生的科研兴趣。

简介：采用硝酸铟、硝酸铜和高分子材料作为静电纺丝的前驱体溶液，经过静电纺丝及高温煅烧，获得一维氧化铟／氧化铜复合纳米纤维，制成气体传感器，并对其气敏性进行测试及分析。

简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

简介：采用燃烧法合成了La1.6（MoO_4）_3：Eu_0.4^3＋纳米晶末，研究了其声子一掺杂-晶格相互作用和发光性质。x射线粉末衍射（XRD）分析表明，在500～900℃退火后，La1.6（MoO_4）_3：Eu_0.4^3＋样品为单一晶相。对样品进行了光致发光（PL）测量，激发Mo^6＋-O^2-电荷迁移带，观察到Eu^3＋的系列发光，表明Mo^6＋-O^2-带和Eu^3＋间存在能量传递，中心波长分别在λ1=469nm和λ2=426nm处的两个one-phonon边带，相应的声子能量分别为767和1202cm^-1，分别对应于Mo=0和Mo-0-Mo伸缩振动。同时，计算了两个局域模电子一声子耦合强度的黄昆因子分别为S1=0．055和S2=0．037，为揭示其三价离子高传导特性及其负热膨胀物理特性提供了实验基础。

简介：通过Cu纳米颗粒掺杂制备了Li[（Ni0.6Co0.2Mn0.2）1-xCux]O2三元正极材料,并通过调节Cu的掺杂量,讨论了Cu的掺入对Li[（Ni0.6Co0.2Mn0.2）1-xCux]O2三元正极材料晶体结构、表面形貌、电化学性能和循环性能等一系列性能的影响,铜掺杂量为x=0.01时,在0.2C倍率下的首次放电比容量达到了219.1mAh/g,经过50次充放电循环之后,剩余比容量为115.4mAh/g。最终结果为Li[（Ni0.6Co0.2Mn0.2）1-xCux]O2中Cu的掺入量为x=0.01时,所得正极材料的电化学性能和循环性能最为优异。