简介：谢霆锋《释放》；阿杜《I…Do》；梁咏琪《Look》；S.H.E《不想长大》;陈奕迅《怎么样》……

简介：在多年的初中物理教学实践中，教学进度的安排与把握一直困扰着我，八年级物理教材内容简单些、内容也少一些，但周课时也少，加之八年级学生生活经验、认识水平和思维水平的局限性，经常出现如下的教学局面：学生课堂活跃，好像课堂知识都掌握得很好，但在隔天的下一节课检查时发现学生大多已遗忘，学生作业也是错误百出，又将上节课所学的知识“还”给了老师；九年级的课时一般会增加一节，但为了中考复习，物理教学进度会大大超前，

简介：基于计算机串口通信和功率型金属氧化物半导体场效应晶体管，设计研制了程控产生单次快前沿负高压脉冲的信号发生器。其性能指标为高压脉冲幅度一100～-1000V，脉冲宽度40ns～2μs，脉冲前沿随脉冲幅度和宽度变化，可小于30ns，输出负载为50Ω作为一种模拟源，该高压脉冲信号发生器已用于小功率气体放电管的高压保护特性实验研究中。

简介：低温等离子体技术(LowTemperaturePlasmatechnique，LTP)是近年来发展较快的一门材料表面改性技术，本研究采用LTP技术对氟橡胶进行表面改性，考察了改性后的氟橡胶应用于三氨基三硝基苯炸药(TATB)为基的PBX体系中(TATB-PBX)对PBX力学性能的影响，结果表明将LTP技术运用到PBX中，对提高PBX的综合性能是行之有效的。

简介：综述了美国圣地亚国家实验室ZR(ZRefurbished)装置的建设背景、结构及最新进展,梳理了自2011年以来在ZR装置上开展的实验研究工作,主要包括辐射效应、惯性约束聚变、极端条件下的材料科学和天体物理学等研究。最后,介绍了美国未来基于直线变压器驱动器技术的快Z箍缩装置发展规划。

简介：直线型变压器驱动源（LTD）技术是一种新的脉冲功率技术，它产生的快上升沿（约100ns）的高功率脉冲能直接驱动负载而不需要任何脉冲压缩段。这里阐述了LTD模块的工作原理及基本电路模型，研制了输出脉冲上升时间小于100ns的快脉冲LTD模块，并进行了初步的实验研究。实验结果显示，该LTD模块具有产生快脉冲的能力，

简介：测量和分析了氟化钡(BaF2)晶体的基本光谱特性;设计并研制了一种反射式紫外带通滤光器,用于抑制BaF2晶体630ns慢响应荧光成分并获取0.6ns快响应荧光成分,快慢成分之比提高了102以上.基于该滤光器和BaF2晶体,研制了ns级时间响应γ射线探测器,可用于强流快脉冲γ射线测量.

简介：在脉冲X射线测量中,当出射X射线粒子总数低于108时,通过闪烁体成像测量角分布的方法难以获得结果。提出了一种将准直孔阵列、快时间响应闪烁体和多路延时光纤相结合的电流型测量方法,通过记录不同角度的瞬时脉冲波形,能够实现ns以下小焦斑快脉冲X射线角分布的测量。基于该方法研制的测量系统在亚ns重复频率快脉冲硬X射线源上进行了实验验证,获得了距源20cm处的角分布数据。

简介：全回流是低温精馏分离氢同位素的一种重要操作模式，由于此模式下系统不受外界进料等因素的扰动，可以方便地获得再沸器加热功率对系统分离性能和温度、压力、液位等重要参数的影响。在全回流模式下，再沸器加热功率提高后，精馏柱内气液两相传质充分，因此再沸器加热功率作为可调参数可改善系统分离性能，但再沸器加热功率提高后，精馏柱内气体线速度加大，造成床层压降加大，有可能带来液泛等问题。

简介：综述了国内外快放电直线型变压器驱动源（fastlineartransformerdriver,FLTD）闪光照相加速器的研究进展,包括美国圣地亚国家实验室（SandiaNationalLaboratory,SNL）双轴7MVLTD型闪光照相装置、洛斯·阿拉莫斯国家实验室LANSCE装置C区与质子照相装置轴垂直的LTD型闪光照相装置、21级串联LTD-MinorURSA装置及32级串联正负极性可调的LTD装置的概念设计。同时,介绍了法国原子能部CEA/PAM8MVLTD型照相装置IDERIX和英国原子能武器中心为替代Mevex加速器拟研制的空气绝缘LTD的概念设计。最后,介绍了中国工程物理院和西北核技术研究所FLTD相关研究进展,结合西北核技术研究所现有技术条件和需求,提出了开展闪光LTD驱动源的初步设想。

简介：快Z箍缩在强辐射效应、惯性约束聚变、材料特性、天体物理和其他高能量密度物理方面具有重要应用,要满足上述多种需求,迫切需建电流数十兆安、前沿百纳秒,功率百太瓦级的脉冲功率驱动源。本文综述了Marx水线电容储能多级脉冲压缩传统技术路线和直接驱动FLTD型技术路线的快Z箍缩百太瓦级脉冲驱动源的研究现状、发展趋势,分析了两种技术路线的主要制约因素和前景,梳理了研制百太瓦级、电流数十兆安的快Z箍缩驱动源需要解决的主要关键技术和科学问题。

简介：温度从室温到10ev的状态方程一直是实验室和工程应用中关心的重要问题，在这个温度范围内存在大量的实验状态方程数据，对各色各样的理论模型提出了强烈的挑战，对低温稠密等离子体而言，TF模型的计算结果不再令人满意。Zink在早些时候对TF模型作了非自洽的电子壳层效应修正，但他给出的壳层效应明显太强了。Rozsnyai则把Zink的方法发展成一种成熟的自洽场方法，但他只计算了电子的动压，在低温情况下，压强的走向不对，无法在常温常密度附近形成固体。

简介：SISAK是国内外目前应用最广泛的短寿命同位素快化分离技术之一,在裂变产物、超重元素、远离β稳定线的非稳核研究方面有着广泛的应用。SISAK技术最新的发展主要集中在配套设备和计算机控制上。我们研制了一套以S7-200PLC为核心的SISAK自动控制系统,其组成和控制方案简单可靠,已在冷实验中取得了很好的效果。

简介：首次制备出粉末微晶BaCl0.5Br0.5F:Sm2+红色发光材料,并测量了其低温光谱。发现其谱线宽度与BaClF:Sm2+的相比较有了约十倍左右的非均匀增宽,而且相应于5D0,1,2→7F0,1的谱线由两个峰间距分别为15cm-1,65cm-1的谱线构成,峰间距只与基态7F0和7F1有关。W.Lenth&W.E.Morener[1]讨论了光子门光谱烧孔作为频率微区光学记录的理论和应用的可能性。对于长存的光谱烧孔,可以进行二进制的数据存储与改写。该技术为实现大容量、高速度的光学计算机的应用提供了新的前景。在这方面已经有了不少的研究工作[2～6]。为提高存储容量,需使光谱线非均匀增宽,以提供更多的光谱烧孔可能性。为此目的,首次制备出粉末微晶BaCl0.5Br0.5F:Sm2+红色发光材料,并测量了其低温光谱,并将其与BaClF:Sm2+的低温光谱进行了比较分析。